[实用新型]一种晶片载盘有效
| 申请号： | 201720097820.6 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN206519831U | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 冯克耀;俞宽;张丙权;蒋智伟;蔡家豪;邱智中;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/30 | 分类号： | B24B37/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 | ||
1.一种晶片载盘，用于所述晶片的减薄工艺，其特征在于：所述载盘上表面具有复数个环形沟槽，所述环形沟槽围绕形成放置晶片的晶片放置区，所述环形沟槽的内环直径即所述晶片放置区的直径小于所述晶片的直径，所述环形沟槽的外环直径大于等于所述晶片的直径。
2.根据权利要求1所述的一种晶片载盘，其特征在于：所述晶片直径与所述环形沟槽内环直径的差为：0~2mm。
3.根据权利要求1所述的一种晶片载盘，其特征在于：所述环形沟槽的深度与晶片固定时滴蜡量m，晶圆直径d，蜡密度γ，压蜡层厚度a，晶圆厚度A，载盘厚度X及沟槽宽度W有关。
4.根据权利要求3所述的一种晶片载盘，其特征在于：所述沟槽的深度为：，其中所述滴蜡量m，晶圆直径d，蜡密度γ，压蜡层厚度a，晶圆厚度A，载盘厚度X及沟槽宽度W的单位均为国际标准单位。
5.根据权利要求1所述的一种晶片载盘，其特征在于：所述环形沟槽还包括位于沟槽顶部的弧形倒角。
6.根据权利要求5所述的一种晶片载盘，其特征在于：所述弧形倒角的半径为0.03~0.07mm。
7.根据权利要求1所述的一种晶片载盘，其特征在于：所述晶片包括一衬底及形成于所述衬底上的外延层。
8.根据权利要求7所述的一种晶片载盘，其特征在于：所述衬底为图形化衬底，所述衬底由于边缘图形的缺失，边缘具有呈凸结构。
9.根据权利要求1所述的一种晶片载盘，其特征在于：相邻的环形沟槽可相互连通。
10.根据权利要求1所述的一种晶片载盘，其特征在于：所述载盘为陶瓷盘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司，未经安徽三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720097820.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
