[实用新型]一种新型锂电池保护结构有效

专利信息
申请号: 201720041899.0 申请日: 2017-01-14
公开(公告)号: CN206322814U 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 易缘兵;张桥桥;王翔;刘文清 申请(专利权)人: 东莞市嘉佰达电子科技有限公司
主分类号: H01M10/42 分类号: H01M10/42;H01M2/34;H02J7/00
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司44218 代理人: 易朝晖
地址: 523000 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 锂电池 保护 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及锂电池保护技术领域,尤其涉及一种新型锂电池保护结构。

背景技术

市场上现行锂电池保护板方案,多采用单节IC,产品同质化严重。采用单节IC保护方案,电路复杂,元件较多,有低压检测门限值。低于1.2V之后芯片不检测电压,容易放空电芯,造成安全事故;且充放电MOS管多采用控制P沟道场效应管,成本较高,内阻大,发热量高,安全事故发生的几率较高;此外,常规的充电方案,在保护板上电以后,需要激活才能有输出,且生产工序繁琐,导致保护板整体成本偏高。

现有技术中,如专利号为200810022474.0,申请日为2008.07.15《一种锂电池保护电路》,该发明提供一种采用低压工艺制造、能够适用于各种充电电压值的锂电池保护电路。但是该发明电路复杂,工序繁多,生产耗时多,芯片控制效果欠佳,充、放电装置发热量大,容易发生安全事故,缺少激活电路和宽压检测功能,有待进一步改进。

实用新型内容

针对上述现有技术的现状,本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种控制快速有效、发热状况较小、安全事故发生几率低、生产工序简单、成本较低、节约工时、当外接电源电压低于1.2V之后还可以正常保护的新型锂电池保护结构。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种新型锂电池保护结构,包括电压检测模块、信号转换模块、电池部分、充放电控制模块和激活电路,其特征在于,所述电压检测模块中设置有芯片,所述芯片内还设置有宽压检测模块;所述电池部分与电压检测模块相连;所述电池部分还与信号转换模块和充放电控制模块相连;所述信号转换模块与充放电控制模块相连,所述充放电控制模块内设置有充电MOS管和放电MOS管;所述信号转换模块与激活电路的一端相连,所述激活电路的另一端与充放电控制模块相连。

优选地,所述芯片采用精工S-8254系列芯片,所述芯片具有3-4串保护功能并且自带开关/温度保护功能。

优选地,所述充电MOS管和放电MOS管采用控制N沟道场效应管。

优选地,所述激活电路在上电之后能自动激活充电功能。

优选地,所述信号转换模块可以达到关断充电MOS管和放电MOS管的作用。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:市场上现行锂电池保护板方案,多采用单节IC,产品同质化严重。采用单节IC保护方案,电路复杂,元件较多,有低压检测门限值,低于1.2V之后芯片不检测电压,容易放空电芯,造成安全事故;且充放电MOS管多采用控制P沟道场效应管,成本较高,内阻大。本实用新型采用日本精工电子的S-8254芯片,并将充放电MOS管改为控制N沟道场效应管,由于P管内阻大,发热量高,改为N管之后,可以大大减小保护板的发热状况,进一步降低安全事故发生的几率;此外,常规的充电方案,在保护板上电以后,需要激活才能有输出,且生产工序繁琐,导致保护板整体成本偏高,本实用新型设置了激活电路,上电可以自动激活,免去手动充电激活的步骤,节约工时,降低生产成本;本实用新型增加了宽压检测模块,使得当外接电源电压低于1.2V之后,还可以正常保护,不会存在电压过低却不能保护的状况宽压输入。

附图说明

图1为本实用新型的结构原理图。

具体实施方式

如图1所示,一种新型锂电池保护结构,包括电压检测模块、信号转换模块、电池部分、充放电控制模块和激活电路;电压检测模块中设置有芯片,芯片采用精工S-8254系列芯片,该芯片具有3-4串保护功能,并且自带开关/温度保护功能;芯片内还设置有宽压检测模块,不会存在电压过低却不能保护的状况;电池部分与电压检测模块相连;电池部分还与信号转换模块和充放电控制模块相连;信号转换模块与充放电控制模块相连,充放电控制模块内设置有充电MOS管和放电MOS管,充电MOS管和放电MOS管采用控制N沟道场效应管;信号转换模块与激活电路的一端相连,激活电路的另一端与充放电控制模块相连,上电之后,自动激活充电功能,免去手动激活的步骤;芯片检测电池部分的电压,通过信号口输出芯片给信号转换模块,通过信号转换模块可以达到关断充电MOS管和放电MOS管的作用,达到过充、过放、过流、短路、过温等保护,以此来保证锂电池组的安全性。

工作原理:

1、正常状态下,电池部分的电压在芯片检测正常范围以内,芯片输出正常信号,充放控制信号都为低电平,充、放电MOS管全部导通,此时,充、放电都可以正常进行。

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