[发明专利]一种倒装芯片及其焊接方法有效
申请号: | 201711498797.2 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108288591B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 吉祥;徐新华;束方沛;卢海伦 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 刘希 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属凸点 感应电流 焊接 倒装芯片 交变磁场 基板 热效应 芯片 电子元器件 焊接过程 加热升温 芯片倒装 预定位置 贴装 加热 申请 融化 节约 能源 | ||
本申请公开了一种倒装芯片及其焊接方法,涉及电子元器件技术领域。所述方法包括:提供设置有金属凸点的芯片,该金属凸点能够在交变磁场作用下产生感应电流;将芯片倒装于基板上;将贴装后的芯片与基板置于交变磁场中,以使金属凸点内产生感应电流,并利用感应电流的热效应使金属凸点融化形成焊接。通过上述方式,本申请焊接过程中,加热升温过程迅速,所用时间短;并且只在预定位置产生电流来加热,节约大量能源。
技术领域
本申请涉及电子元器件技术领域,特别是涉及一种倒装芯片及其焊接方法。
背景技术
随着集成电路集成度的增加,芯片的封装技术也越来越多样化,因为芯片倒装技术具有缩短封装内的互连长度,进而能够更好地适应高度集成的发展需求,目前已广泛应用于芯片封装领域。芯片倒装技术一般是在芯片的正面制作焊点阵列作为输入、输出端子并以倒扣方式焊接于封装基板上,请参阅图1,图1是现有技术中回流焊接的应用示意图。现有的焊接一般使用热风回流工艺,如图1所示,将芯片11与基板12贴装后,通过电阻丝加热产生的热风14融化焊锡球13,使其芯片11通过焊锡球13与基板12产生电连接。本申请的发明人在长期的研发过程中,发现回流焊接工艺还有一定的问题,如在回流加热过程中,整个基板都会被加热,造成资源的浪费,还有可能损坏其他元件;另还需要较大的回流循环设备,大量的保护性气体等。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种倒装芯片及其焊接方法,能够快速、高效、节能的实现倒装芯片的焊接。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种倒装芯片的焊接方法,该方法包括:提供设置有金属凸点的芯片,该金属凸点能够在交变磁场作用下产生感应电流;将芯片倒装于基板上;将贴装后的芯片与基板置于交变磁场中,以使金属凸点内产生感应电流,并利用感应电流的热效应使金属凸点融化形成焊接。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种倒装芯片,该倒装芯片通过上述的倒装芯片的焊接方法焊接所得。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请所提供的倒装芯片的焊接方法,利用电磁感应原理,使芯片上的金属凸点在交变磁场中感应电流,并利用感应电流的热效应使金属凸点融化形成焊接。通过这种方式,焊接过程中,加热升温过程迅速,所用时间短;并且只在预定位置产生电流来加热,节约大量能源。
附图说明
图1是现有技术中回流焊接的应用示意图;
图2是本申请倒装芯片的焊接方法第一实施方式的流程示意图;
图3是本申请倒装芯片的焊接方法第二实施方式的应用示意图;
图4是本申请金属凸点在交变磁场中产生电流的示意图;
图5是本申请倒装芯片第一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。
本申请提供一种倒装芯片及其焊接方法,至少可以应用于倒装芯片的焊接工艺中,该方法根据电磁感应原理,利用感应电流的热效应加热使焊点融化形成焊接。请参阅图2,图2是本申请倒装芯片的焊接方法第一实施方式的流程示意图。如图1所示,在该实施方式中,倒装芯片的焊接方法包括如下步骤:
S201:提供设置有金属凸点的芯片,其中,所述金属凸点能够在交变磁场作用下产生感应电流。
具体地,根据电磁感应原理,放在变化磁通量中的导体会产生电动势,若将此导体闭合成一回路,则该电动势会驱使电子流动,形成感应电流。而在芯片倒装技术中,一般是在芯片的正面制作金属凸点(即焊点)阵列作为输入、输出端子。该金属凸点作为具有闭合回路的导体,放在交变磁场中时能够产生感应电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造