[发明专利]一种硅基显示面板及其形成方法以及其曝光工艺的光罩

说明书

本发明提供一种硅基显示面板的形成方法，包括：提供一硅基板，所述硅基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域；提供第一组光罩，所述第一组光罩对应所述显示区域，在显示区域的曝光工艺中使用所述第一组光罩；提供第二组光罩，所述第二组光罩对应所述周边区域，在周边区域的曝光工艺中使用所述第二组光罩；所述显示区域的曝光工艺和所述周边区域的曝光工艺为不同工艺步骤。本发明提供的硅基显示面板的形成方法，不进行显示区域像素图形的拼接，从而提高良率及显示效果。

技术领域

本发明涉及硅基显示技术，尤其涉及一种显示效果好的硅基显示面板及其制造方法，还涉及一种硅基显示面板曝光用的光罩。

背景技术

现有的硅基显示面板，如硅基OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板，以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件。单晶硅芯片采用现有成熟的集成电路CMOS工艺，不但实现了显示屏像素的有源寻址矩阵，还在硅芯片上实现了如SRAM存储器、T-CON等多种功能的驱动控制电路，大大减少了器件的外部连线，增加了可靠性，实现了轻量化和微型显示。

但是其显示面积的大小也受到了限制，现有的硅基OLED显示面板产品，一般都是在8inch或者12inch的硅芯片制作出来的，而制作过程中所使用的曝光机的曝光面积小于所使用的硅芯片的尺寸，而真正决定显示面板尺寸大小的却恰恰就是这个曝光机的曝光面积，由于曝光机曝光面积的限制，导致硅基OLED显示面板产品的尺寸无法做的更大。现有技术中有一种技术手段是使用拼接曝光的方式来实现大尺寸，如图1所示，将整个显示面板通过多个光罩1、2、3、4分别曝光，并且该多个光罩1、2、3、4是按照整个显示面板的布置，将显示区域和显示区域进行拼接曝光，将周边电路和周边电路也进行拼接曝光来实现的。比如图1中示意出4张光罩1、2、3、4，光罩1包括多个周边电路图形1a以及显示区域1图形1b，光罩1上的图形是对应显示面板左上角部分要形成的结构；同样，光罩2包括多个周边电路图形2a以及显示区域2图形2b，光罩2上的图形是对应显示面板右上角部分要形成的结构，光罩3包括多个周边电路图形3a以及显示区域3图形3b，光罩3上的图形是对应显示面板左下角部分要形成的结构，光罩4包括多个周边电路图形4a以及显示区域4图形4b，光罩4上的图形是对应显示面板右下角部分要形成的结构。当分别使用光罩1、2、3、4完成对面板的曝光后，显示区域1、显示区域2、显示区域3、显示区域4拼接在一起形成整个显示区域，同样各周边电路也要拼接进行连接。但是，拼接式曝光很难保证在拼接位置处的对位精准度，尤其是在分辨率越来越高、布线宽度越来越窄的趋势下，特别对于显示区域更为敏感，比如金属非同次曝光会带来亮度差异或者产生灰阶过渡的显示不均等问题，因此工艺难度大、显示效果差、良率低。

发明内容

本发明提供一种硅基显示面板的形成方法，其特征在于，提供一硅基板，所述硅基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域；

提供第一组光罩，所述第一组光罩对应所述显示区域，在显示区域的曝光工艺中使用所述第一组光罩；

提供第二组光罩，所述第二组光罩对应所述周边区域，在周边区域的曝光工艺中使用所述第二组光罩；

所述显示区域的曝光工艺和所述周边区域的曝光工艺为不同工艺步骤。

可选地，所述显示区域的面积小于等于曝光机的有效曝光面积。

可选地，所述周边区域包括多个周边电路，对应所述多个周边电路，所述第二组光罩上设置有多个周边电路图形，所述多个周边电路图形紧凑并相互间隔排列。

可选地，利用所述第一组光罩在所述显示区域形成第一配线，利用所述第二组光罩在所述周边区域形成第二配线，所述第一配线的宽度小于等于第二配线的宽度。

可选地，所述第一配线和所述第二配线电性连接，将显示区域的像素单元和所述周边区域的电路导通。