[发明专利]一种硅基显示面板及其形成方法以及其曝光工艺的光罩

权利要求书

1.一种硅基显示面板的形成方法，其特征在于，提供一硅基板，所述硅基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域；

提供第一组光罩，所述第一组光罩对应所述显示区域，在显示区域的曝光工艺中使用所述第一组光罩；

提供第二组光罩，所述第二组光罩对应所述周边区域，在周边区域的曝光工艺中使用所述第二组光罩；

所述显示区域的曝光工艺和所述周边区域的曝光工艺为不同工艺步骤。

2.如权利要求1所述的硅基显示面板的形成方法，其特征在于，所述显示区域的面积小于等于曝光机的有效曝光面积。

3.如权利要求1所述的硅基显示面板的形成方法，其特征在于，所述周边区域包括多个周边电路，对应所述多个周边电路，所述第二组光罩上设置有多个周边电路图形，所述多个周边电路图形紧凑并相互间隔排列。

4.如权利要求1所述的硅基显示面板的形成方法，其特征在于，利用所述第一组光罩在所述显示区域形成第一配线，利用所述第二组光罩在所述周边区域形成第二配线，所述第一配线的宽度小于等于第二配线的宽度。

5.如权利要求4所述的硅基显示面板的形成方法，其特征在于，所述第一配线和所述第二配线电性连接，将显示区域的像素单元和所述周边区域的电路导通。

6.如权利要求1所述的硅基显示面板的形成方法，其特征在于，所述第一组光罩包括多个光罩，所述多个光罩分别对应显示区域的N阱曝光工艺、P阱曝光工艺、浅沟道隔离曝光工艺、P阱掺杂曝光工艺、N阱掺杂曝光工艺、栅极曝光工艺、N型轻掺杂漏注入曝光工艺、N型沟道源漏极曝光工艺、P型沟道源漏极曝光工艺、自对准硅化物阻断曝光工艺、高阻值多晶硅电阻器曝光工艺、接触孔曝光工艺、第一金属层曝光工艺、过孔曝光工艺、第二金属层曝光工艺；

所述第二组光罩包括多个光罩，所述多个光罩分别对应周边区域的N阱曝光工艺、P阱曝光工艺、浅沟道隔离曝光工艺、P阱掺杂曝光工艺、N阱掺杂曝光工艺、栅极曝光工艺、N型轻掺杂漏注入曝光工艺、N型沟道源漏极曝光工艺、P型沟道源漏极曝光工艺、自对准硅化物阻断曝光工艺、高阻值多晶硅电阻器曝光工艺、接触孔曝光工艺、第一金属层曝光工艺、过孔曝光工艺、第二金属层曝光工艺。

7.如权利要求6所述的硅基显示面板的形成方法，其特征在于，所述显示区域和所述周边区域对应曝光工艺在相邻的先后工艺步骤中完成；或者，所述周边区域和所述显示区域对应的曝光工艺在相邻的先后工艺步骤中完成。

8.如权利要求6所述的硅基显示面板的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括曝光工艺步骤前的清洗工艺、光刻胶涂布工艺、光刻胶固化工艺，以及曝光工艺步骤后的显影工艺、光刻胶剥离工艺，所述显示区域和所述周边区域的所述清洗工艺、光刻胶涂布工艺、光刻胶固化工艺、显影工艺、光刻胶剥离工艺分别在同一工艺步骤中进行。

9.如权利要求6所述的硅基显示面板的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括绝缘层成膜工艺、绝缘层刻蚀工艺、离子注入工艺、金属层成膜工艺、金属层刻蚀工艺，所述显示区域和所述周边区域的所述绝缘层成膜工艺、绝缘层刻蚀工艺、离子注入工艺、金属层成膜工艺、金属层刻蚀工艺分别在同一工艺步骤中进行。

10.一种硅基显示面板，其特征在于，包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域的面积小于等于曝光机的有效曝光面积，并且所述显示区域和所述周边区域的曝光工艺在不同工艺步骤中进行。

11.如权利要求10所述的硅基显示面板，其特征在于，还包括OLED显示层，所述OLED显示层设置在所述显示区域内。

12.一种用于硅基显示面板的曝光工艺的光罩，其特征在于，所述光罩包括第一组光罩和第二组光罩，所述第一组光罩对应所述硅基显示面板的显示区域，所述第二组光罩对应所述硅基显示面板的周边区域。