[发明专利]前端系统以及相关装置、集成电路、模块和方法

权利要求书

1.一种封装模块，其包含：

封装内的低噪声放大器，所述低噪声放大器包括第一电感器、串联电感器、放大电路以及第二电感器，所述串联电感器具有配置成接收射频信号的第一端部和电耦合到所述第一电感器的第二端部，所述放大电路配置成通过所述第一电感器接收射频信号，所述第二电感器磁耦合到所述第一电感器以提供负反馈以线性化所述低噪声放大器；以及

所述封装内的多模式功率放大器电路，所述多模式功率放大器电路包括堆叠输出级，所述堆叠输出级包括两个或更多个晶体管的晶体管堆叠，并且所述多模式功率放大器电路包括偏压电路，所述偏压电路配置成基于所述多模式功率放大器电路的模式控制所述晶体管堆叠的至少一个晶体管的偏压。

2.根据权利要求1所述的封装模块，其还包含封装基板，在所述封装基板上方延伸并且封闭所述低噪声放大器和所述多模式功率放大器电路的射频屏蔽结构，以及在所述射频屏蔽结构外部的所述封装基板上的天线。

3.根据权利要求2所述的封装模块，其中所述天线是多层天线。

4.根据权利要求1所述的封装模块，其还包含由封装基板支撑的管芯和由所述封装基板支撑的晶体，所述晶体布置在所述管芯和所述封装基板之间，并且所述管芯包括所述低噪声放大器和所述多模式功率放大器电路。

5.一种前端系统，其包含：

在所述前端系统的接收路径中的低噪声放大器，所述低噪声放大器包括(i)输入匹配电路，所述输入匹配电路包括第一电感器和串联电感器，所述串联电感器具有配置成接收射频信号的第一端部和电耦合到所述第一电感器的第二端部；(ii)放大电路，所述放大电路配置成通过所述第一电感器接收射频信号；以及(iii)第二电感器，所述第二电感器磁耦合到所述第一电感器以提供负反馈以线性化所述低噪声放大器；以及

在所述前端系统的发射路径中的多模式功率放大器电路，所述多模式功率放大器电路包括堆叠输出级，所述堆叠输出级包括两个或更多个晶体管的晶体管堆叠，并且所述多模式功率放大器电路包括偏压电路，所述偏压电路配置成基于所述多模式功率放大器电路的模式控制所述晶体管堆叠的至少一个晶体管的偏压。

6.根据权利要求5所述的前端系统，其中所述偏压电路配置成在第一模式下将所述晶体管堆叠的晶体管偏压到线性操作区域，并且在第二模式下作为开关。

7.根据权利要求6所述的前端系统，其中所述偏压电路配置成在所述第二模式下在饱和操作区域中偏压所述晶体管。

8.根据权利要求6所述的前端系统，其中所述第二模式与比所述第一模式更低的功率关联。

9.根据权利要求6所述的前端系统，其中所述堆叠输出级配置成相对于所述第一模式在所述第二模式下接收具有更低电压水平的电源电压。

10.根据权利要求5所述的前端系统，还包括电源控制电路，所述电源控制电路配置成向所述堆叠输出级提供电源电压，使得所述电源电压在至少三种不同的模式中的每种模式下具有不同的电压水平。

11.根据权利要求5所述的前端系统，其中所述晶体管堆叠包括串联的至少三个晶体管。

12.根据权利要求10所述的前端系统，其中所述多模式功率放大器电路包括输入级，所述输入级具有电耦合到所述堆叠输出级的输入的输出，以及所述电源控制电路配置成向所述输入级提供输入级电源电压，所述输入级电源电压在所述至少三种不同的模式下具有大致相同的电压水平。

13.根据权利要求5所述的前端系统，还包括低噪声放大偏压电路，所述低噪声放大偏压电路配置成在所述第一电感器和所述串联电感器之间的节点施加低噪声放大器偏压信号。