[发明专利]一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置在审
| 申请号： | 201711482369.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108103569A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;黄嘉丽;贺广东;黄毅;雷丹;王琦琨;王智昊;龚加玮 | 申请（专利权）人： | 苏州奥趋光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 籽晶 加热罩 导流 氮化铝单晶 坩埚本体 坩埚装置 物理气相传输法 生长 坩埚盖 多晶 氮化铝烧结体 氮化铝粉 径向张开 热量导向 台边缘 诱导 传输 | ||
1.一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：包括用于放置氮化铝粉源/氮化铝烧结体的坩埚本体、设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、设于所述坩埚本体中的位于所述坩埚盖下方的籽晶台、设于所述籽晶台下方的导流加热罩，所述导流加热罩沿远离所述籽晶台的方向向下逐渐径向张开，所述导流加热罩位于所述氮化铝粉源/氮化铝烧结体的上方，所述导流加热罩，可作为发热源，用于将热量导向所述籽晶台的边缘，使所述籽晶台的边缘温度大于所述籽晶台的中心温度。
2.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流加热罩的上端与所述籽晶台之间间隙分布。
3.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流加热罩的下端沿其周向抵触于所述坩埚本体的内侧周部。
4.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述坩埚本体包括第一本体、设于所述第一本体上方的第二本体，所述第一本体的内径小于所述第二本体的内径，所述导流加热罩的下端抵设于所述第一本体的顶端。
5.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流加热罩包括罩体、设于所述罩体中的用于加热所述罩体的加热机构。
6.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述坩埚装置还包括设于所述坩埚本体中的用于隔开所述坩埚盖和所述氮化铝粉源/氮化铝烧结体的隔板。
7.根据权利要求6所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述隔板上开设有通孔，所述籽晶台包括设于所述坩埚盖和所述隔板之间的第一台体、连接在所述第一台体下部的穿设于所述通孔中的第二台体。
8.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流加热罩呈锥形。
9.根据权利要求8所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流加热罩的锥角在20°-160°之间。
10.根据权利要求1所述的一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：所述导流加热罩的厚度为1-10mm；所述导流加热罩的底端与所述氮化铝粉源/氮化铝烧结体的顶端之间的距离为1-10mm。
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