[发明专利]一种过压保护电路及固态硬盘在审

专利信息
申请号: 201711481896.X 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN107993682A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 朱建宝 申请(专利权)人: 力瑞信(深圳)科技有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 深圳市精英专利事务所44242 代理人: 邓星文
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 电路 固态 硬盘
【说明书】:

技术领域

发明涉及储存技术领域,尤其涉及一种过压保护电路及固态硬盘。

背景技术

固态硬盘(Solid State Drives),简称固盘,其是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制芯片和存储芯片(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。

在固态硬盘的使用过程中,由于供电电路电压的波动,供电电路的电压可能会高于固态硬盘所需的电压,长时间大电压的冲击会降低固态硬盘的寿命,严重时甚至会直接导致固态硬盘烧坏,导致固态硬盘的数据丢失。

发明内容

本发明实施例提供一种过压保护电路及固态硬盘,旨在减少外部大电压对固态硬盘的冲击,提高固态硬盘的使用寿命。

第一方面,本发明实施例提出一种过压保护电路,所述过压保护电路应用于固态硬盘中,所述固态硬盘包括供电接口以及内部功能电路,所述过压保护电路包括:

开关单元,用于与所述供电接口以及所述内部功能电路连接;以及

控制单元,与所述开关单元连接,且用于与所述供电接口连接;所述控制单元在检测到所述供电接口的电压大于预设的电压阈值时,控制所述开关单元断开,以切断所述供电接口对所述内部功能电路的供电;所述控制单元在检测到所述供电接口的电压不大于预设的电压阈值时,控制所述开关单元导通,以使所述供电接口对所述内部功能电路供电。

其进一步地技术方案为,还包括:

储能单元,用于与所述供电接口以及所述内部功能电路连接,且与所述控制单元连接;

其中,所述控制单元在检测到所述供电接口的电压大于预设的电压阈值时,控制所述储能单元对所述内部功能电路供电;所述控制单元在检测到所述供电接口的电压不大于预设的电压阈值时,控制所述储能单元充电。

其进一步地技术方案为,所述开关单元包括第一可控开关;所述第一可控开关的输入端用于与所述供电接口连接,所述第一可控开关的输出端用于与所述内部功能电路连接,所述第一可控开关的控制端与所述控制单元连接。

其进一步地技术方案为,所述控制单元包括第二可控开关以及稳压二极管;所述第二可控开关的输入端用于与所述供电接口连接,所述第二可控开关的输出端与所述第一可控开关的控制端连接,所述第二可控开关的控制端与所述稳压二极管的正极连接;所述稳压二极管的正极用于与所述供电接口连接,所述稳压二极管的负极接地。

其进一步地技术方案为,所述储能单元包括第三可控开关以及电容,所述第三可控开关的输入端用于与所述供电接口连接,所述第三可控开关的输出端与所述电容连接,所述第三可控开关的控制端与所述稳压二极管的正极连接;所述电容用于与所述内部功能电路连接。

其进一步地技术方案为,所述第一可控开关为三极管或者MOS管。

其进一步地技术方案为,所述第二可控开关为三极管或者MOS管。

其进一步地技术方案为,所述第三可控开关为三极管或者MOS管。

其进一步地技术方案为,所述电容为钽电容。

第二方面,本发明实施例提出一种固态硬盘,所述固态硬盘包括:供电接口、内部功能电路以及如第一方面所述的过压保护电路。

通过应用本发明实施例的技术方案,由控制单元检测固态硬盘的供电接口的电压,在检测到固态硬盘的供电接口的电压大于预设的电压阈值时,控制开关单元断开,及时地切断了供电接口对内部功能电路的供电,从而可有效地减少外部大电压对固态硬盘的内部功能电路的冲击,一方面,提高固态硬盘的使用寿命;另一方面,确保了固态硬盘数据的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种过压保护电路的示意框图;

图2为本发明另一实施例提供的一种过压保护电路的示意框图;

图3为本发明又一实施例提供的一种过压保护电路的示意框图;

图4为本发明实施例提供的一种固态硬盘的示意框图。

附图标记

1、固态硬盘;10、过压保护电路;20、供电接口;30内部功能电路;11、开关单元;12、控制单元;13、储能单元;111、第一可控开关;121、第二可控开关;122、稳压二极管;131、第三可控开关;132、电容。

具体实施方式

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