[发明专利]一种InAs真空计及真空度测试方法有效
| 申请号： | 201711474894.8 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108303210B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 任平 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 inas 真空计 真空 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用InAs真空计进行的真空度测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）打开连接气源和腔体的真空阀，使腔体内充满气体后关闭真空阀，使腔体内的气压恒定；
（2）打开连接待测环境与腔体的真空阀，利用外接源表测试肖特基结的电流和电压，得到I-V曲线；
（3）将步骤（2）测得的I-V曲线与已知真空度下的I-V曲线比较，即得所述待测环境的真空度；
所述的InAs真空计包括腔体、设置在腔体内部的肖特基结、与肖特基结两端连接的真空电极、通过真空电极与肖特基结连接的外接源表以及与腔体内部连通的气源，所述腔体设有一个连接口，所述连接口通过管路与待测环境连通；
所述的肖特基结包括Zn掺杂的p型InAs单晶片以及设置在单晶片两端的Au纳米薄膜，所述真空电极的两端连接在两个Au纳米薄膜上，所述的气源为氧气瓶或空气瓶。
2.根据权利要求1所述的一种采用InAs真空计进行的真空度测试方法，其特征在于，所述的Au纳米薄膜通过溅射沉积的方式连接在单晶片的两端。
3.根据权利要求1所述的一种采用InAs真空计进行的真空度测试方法，其特征在于，所述的气源与腔体的连接管路上设有真空阀和单向阀。
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