[发明专利]一种半导体器件的失效分析方法及其设备在审
申请号: | 201711472606.5 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108387591A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 王艳 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | G01N21/956 | 分类号: | G01N21/956;G01N23/04 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 范丹丹;陈忠辉 |
地址: | 215123 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单个对象 观测对象 半导体器件 电路布局图 失效分析 观测 方向边界 检测 对象确认 目标位置 失效位置 失效信息 实际电路 位置匹配 布局图 匹配 分析 | ||
1.一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
S1:对所述半导体器件进行失效位置分析,确认此失效分析的元件和位置失效信息;
S2:确认观测对象是包括单个对象还是多个对象;
S3:如确定所述观测对象包括单个对象,则检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向;
S4:如确定所述观测对象包括多个对象,确认观测单个对象,检测所述单个对象的X和Y方向边界尺寸和方向;选择对应所述单个对象的电路布局图,根据检测到的所述边界尺寸和方向,对所述单个对象的观测画面与其电路布局图进行匹配,使所述单个对象在观测画面上各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:所述X和Y方向边界尺寸的精度为0.1um~1um。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:当所述匹配完成后,基于所匹配的结果在观测画面上显示各个组件的名称和/或编号。
4.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:
当所述匹配完成后,如果进行放大检测画面的动作,则基于所述匹配的结果以及放大比率,放大后,观测画面上的各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
5.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:
当所述匹配完成后,如果进行移动检测位置的动作,则基于所述匹配结果以及移动量,移动后,观测画面上的各个组件与其电路布局图上的位置一一对应。
6.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:
当所述匹配完成后,如果输入所述电路布局图上的电子元件名称和/或编号,所述电子元件的位置会在所述观测画面上突出显示。
7.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:
如果输入所述电路布局图上的电子元件名称和/或编号,所述观测设备的观测中心会移动到所述电子元件的位置。
8.根据权利要求1所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:
在所述S3步骤中,如确定所述观测对象包括单个对象, 控制系统会自动弹出对话框,向操作人员确认此观测对象的定位原点O,此定位原点与该观测对象在电路布局图中的一个位置对应,在电路布局图中也以此原点作为定位原点O’,然后确定样品以及电路布局图中的坐标系,建立坐标系后,控制系统后台会自动跟踪每个移动步骤后观测视场位于坐标系中的位置,控制系统后台会执行将电路布局图中位置与观测视场同步,使视场中每个位置与电路布局图中的位置对应。
9.根据权利要求8所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:样品的电路布局图位置与样品上的位置一一对应。
10.根据权利要求8所述的一种半导体器件的失效分析方法,其特征在于:选取样品的一个边界为X轴,X轴任意选择样品中的位置,不局限于边界。
11.一种半导体器件的失效分析设备,其特征在于:包括处理器装置、存储器装置和观测分析装置,所述处理器装置与存储器装置电性连接,所述存储器中存储有至少一个程序,每个所述程序并被配置成处理器执行,每个所述程序包括指令,所述指令用于确认观测对象是包括单个对象还是包括多个对象。
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