[发明专利]制程监控方法与制程监控系统

说明书

一种制程监控方法，包括以下步骤：接收设定参数；于蚀刻时间中的侦测指定时间内接收制程参数；于侦测指定时间中每隔取样时间内处理制程参数，在制程取样范围内以产生制程参数的特征码；判断制程补偿时间，依据制程参数的特征码，搜寻相似的设定参数，以决定蚀刻时间的制程补偿时间；更新制程参数的特征码至资料库参数。此外，一种制程监控系统亦被提出。

技术领域

本发明是有关于一种制程监控方法与制程监控系统，且特别是有关于一种对基板蚀刻时间动态改善的制程监控方法与制程监控系统。

背景技术

半导体元件或液晶显示装置等电子装置是以多个精密图案集积而成，这种图案是通过多个制程步骤而成，其中有一种蚀刻步骤。在微电子制程中主要有两种蚀刻型态，一种为利用液体蚀刻剂的湿式蚀刻法，而另一种则为利用电浆的干式蚀刻法。

就湿式蚀刻法来说，湿蚀刻能力的控制影响产品品质与元件效能甚巨。现有湿蚀刻的方法在设定在一固定蚀刻时间内借由控制液体浓度来加速或减低来达到所欲蚀刻膜厚，然而蚀刻速率会因为液体浓度与反应的温度随时间变化而改变，使得蚀刻制程(蚀刻工艺)显得难以控制。因此，如何提供一种“制程监控方法与系统”来解决上述问题，是相关技术领域亟需解决的课题。

发明内容

本发明的一目的在于，能对基板蚀刻时间进行动态改善，以实现蚀刻的最佳化。

本发明另一目的在于，滤除光感测元件因污染、湿气、反射等因素所侦测到的杂讯，以提升收取资料的品质，降低后续计算上的判断失误机率。

本发明另一目的在于，通过同步过程，降低因光感测元件通讯时间上的落差，也可避免造成量测同一时间点资料的时间误差，更可降低后续计算上的错误率。

本发明的一实施例提出一种制程监控方法，包括以下步骤：接收一设定参数，其中设定参数包括一配方参数与一资料库参数，配方参数包含一蚀刻时间；于蚀刻时间中的一侦测指定时间内接收一制程参数，其中制程参数产生自光感测元件；于侦测指定时间中每隔一取样时间内处理制程参数，在一制程取样范围内以产生相应的制程参数的特征码；判断制程补偿时间，依据制程参数的特征码，搜寻相似的设定参数，以决定蚀刻时间的一制程补偿时间；更新制程参数的特征码至资料库参数。

本发明的一实施例提出一种制程监控系统，包括一资料处理单元、一制程单元以及一PLC控制单元。资料处理单元用以接收一设定参数，设定参数包括一配方参数与一资料库参数，配方参数包括一蚀刻时间。制程单元用以传输一制程参数。PLC控制单元信号连接制程单元与资料处理单元，PLC控制单元接收制程参数，且PLC控制单元传输制程参数至资料处理单元，其中在蚀刻时间中的一侦测指定时间内，资料处理单元处理制程参数以产生相应的制程参数的特征码，资料处理单元依据制程参数的特征码，搜寻相似的设定参数，以决定蚀刻时间的制程补偿时间指令，资料处理单元传输制程补偿时间指令至PLC控制单元，且PLC控制单元控制制程单元的制程补偿时间。

基于上述，在本发明的制程监控方法与制程监控系统，在蚀刻时间中的侦测指定时间内分析处理所侦测的制程参数，来决定是否要对蚀刻时间进行制程补偿时间，对基板蚀刻时间进行动态改善。

附图说明

图1为本发明的制程监控系统的示意图。

图2为本发明的制程监控方法的流程图。

图3为图2中接收设定参数的流程图。

图4为图3中处理配方参数的流程图。

图5为图2中于蚀刻时间中的侦测指定时间内接收制程参数的流程图。

图6为图5中接收透光率数值的流程图。

图7为图2中处理制程参数的流程图。

图8为图2中判断制程补偿时间的流程图。