[发明专利]一种具有电源保护的功率放大器以及功率放大器模块

权利要求书

1.一种具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，包括功率控制电路、信号放大电路和电源保护电路；所述功率控制电路包括控制电路一与控制电路二，控制电路二的耐压水平高于控制电路一的耐压水平；所述信号放大电路包括依次级联的驱动级电路和输出级电路；移动终端的电池电压直接为控制电路二和输出级电路供电；所述电源保护电路包括分级电源电路和过压保护电路；电池电压通过分级电源电路降压后为控制电路一供电；过压保护电路在电池电压出现浪涌电压时关闭信号放大电路。

2.根据权利要求1所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，所述控制电路一为负责逻辑运算的电路。

3.根据权利要求1所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，所述控制电路二为负责为驱动级电路供电的电路。

4.根据权利要求1所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，所述驱动级电路对射频信号进行第一级放大，输出级电路对射频信号进行第二级放大，并且输出级电路的信号放大能力大于驱动级电路的信号放大能力。

5.根据权利要求1所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，各电路均由标准CMOS工艺设计制造。

6.根据权利要求1所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，所述分级电源电路是在电池电压与地之间依次串联电阻一、NMOS管一和NMOS管二构成支路一；NMOS管一和NMOS管二均采用二极管连接方式；还在电池电压与地之间依次串联PMOS管一、电阻二和电阻三构成支路二；支路一中电阻一与NMOS管一之间的节点A连接运算放大器一的反相输入端，支路二中电阻二与电阻三之间的节点B连接到运算放大器一的正相输入端，运算放大器一的输出端连接PMOS管一的栅极；支路二中PMOS管一与电阻二之间的节点C输出第二级电压；第二级电压作为提供给控制电路一的电源。

7.根据权利要求6所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，所述过压保护电路是在电池电压与地之间依次串联电阻六、电阻七和电阻八构成支路六；参考电压二连接到运算放大器三的反相输入端，支路六中电阻七和电阻八之间的节点G连接到运算放大器三的正相输入端，运算放大器三的输出端输出控制信号；该控制信号提供给控制电路一用来决定是否关闭驱动级电路和输出级电路；运算放大器三的输出端还通过一条反馈支路连接到支路六中电阻六和电阻七之间的节点H。

8.根据权利要求7所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，所述反馈支路依次由反相器一和PMOS管五串联组成；反相器一的输入端连接运算放大器三的输出端，反相器一的输出端连接PMOS管五的栅极；PMOS管五的源极或漏极中的一个连接电池电压，PMOS管五的源极或漏极中的另一个连接节点H。

9.根据权利要求7所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，所述控制电路一还包括带隙基准电路。

10.根据权利要求9所述的具有电源保护的功率放大器模块，其特征是，所述带隙基准电路是在第二级电压与地之间依次串联PMOS管二和PNP管一构成支路三，还在第二级电压与地之间依次串联PMOS管三、电阻四和PNP管二构成支路四，还在第二级电压与地之间依次串联PMOS管四、电阻五和PNP管三构成支路五；PNP管一、PNP管二和PNP管三的基极和集电极均接地；支路三中PMOS管二与PNP管一之间的节点D连接到运算放大器二的反相输入端，支路四中PMOS管三与电阻四之间的节点E连接到运算放大器二的正相输入端，运算放大器二的输出端同时连接PMOS管二、PMOS管三和PMOS管四的栅极；支路五中PMOS管四与电阻五之间的节点F输出参考电压二。

11.一种功率放大器，其特征是，包括电池、基带芯片以及如权利要求1至10中任一项所述的具有电源保护的功率放大器模块；电池为基带芯片和具有电源保护的功率放大器模块供电；基带芯片将射频信号传输至具有电源保护的功率放大器模块，具有电源保护的功率放大器模块再将放大后的射频信号传输至天线。