[发明专利]一种铍硅合金的制备方法

权利要求书

1.一种铍硅合金的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)取铍锭、铍珠或者铍边角料，以及硅块或者硅粉作为原料；

(2)按照铍硅合金的成分要求取步骤(1)的原料进行配料，按照先加铍原料后加硅原料依次装入干净的坩埚中；

(3)抽真空，至真空度≤0.086MPa时，加热升温，控制每半小时温度升高100-200℃；

(4)铸模加热，控制温度500℃～1000℃；

(5)继续升温，直至铍开始熔化，然后继续升温至1350-1450℃，待铍原料与硅原料完全熔化之后静置10～40分钟，然后开始浇铸，控制浇铸温度1200℃～1400℃；

其中在整个熔炼和浇铸过程中始终保持抽真空或者充氩气保护，保持真空时真空度保持≤0.086MPa，充氩气时真空度保持≤0.086MPa；

(6)将得到的铸锭随炉冷却2～10分钟，待铸锭颜色变暗之后停止抽真空；

(8)采用机械振动方式进行冷却，频率控制在＜500Hz范围，振动时间3～20分钟；

(9)取出铸锭，风冷，冷却至常温即可。

2.如权利要求1所述的一种铍硅合金的制备方法，其特征在于：步骤(9)制备的铍硅合金抗拉强度300～600MPa，屈服强度200～400MPa，延伸率≥2％，并且铍硅合金中主要成分为：Be含量5～90％，Fe含量≤0.3％，Mg含量≤0.03％，余量为硅。

3.如权利要求1所述的一种铍硅合金的制备方法，其特征在于：步骤(9)中风冷具体采用轴流风机或者工业冷风机。

4.如权利要求1所述的一种铍硅合金的制备方法，其特征在于：步骤(1)中铍锭采用中频感应熔炼精炼提纯的一次铸锭或者等静压铍锭。

5.如权利要求1所述的一种铍硅合金的制备方法，其特征在于：步骤(2)中坩埚具体采用在一个石墨坩埚内放置一个氧化铝陶瓷坩埚。

6.如权利要求1所述的一种铍硅合金的制备方法，其特征在于：步骤(3)中抽真空，至真空度≤0.086MPa时。

7.如权利要求1所述的一种铍硅合金的制备方法，其特征在于：步骤(5)中保持真空时真空度保持≤0.086MPa，充氩气时真空度保持≤0.086MPa。