[发明专利]一种集成凸块状肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件元胞结构在审
| 申请号： | 201711459799.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108198857A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;徐妙玲;倪炜江;黄兴;耿伟;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 凸块状 碳化硅MOSFET 器件元胞 元胞 掩蔽 高压大电流 续流二极管 边缘设置 电路制作 反向电压 器件优化 凸块区域 肖特基 注入区 耐压 凸块 电路 环绕 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成凸块状肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件元胞结构，其特征在于，所述碳化硅MOSFET器件元胞结构之间集成了凸块状肖特基二极管，并且所述凸块状肖特基二极管两侧的MOSFET元胞P-well区边缘设置有P-Plus的深注入区将凸块状肖特基二极管环绕在中间保护起来。
2.根据权利要求1所述的集成凸块状肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件元胞结构，其特征在于，所述碳化硅MOSFET器件元胞结构为平面栅结构或者V槽、U槽沟槽栅结构。
3.根据权利要求1所述的集成凸块状肖特基二极管的碳化硅MOSFET器件元胞结构，其特征在于，所述凸块状肖特基二极管的凸块区的N型区可以是先表面高浓度注入然后直接刻蚀形成，也可以是二次外延稍高浓度的N-Epi层后再刻蚀形成，掺杂浓度高于其底下MOSFET区域的N-epi漂移区，以优化肖特基势垒和减小肖特基区的导通阻抗。
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