[发明专利]静电侦测装置有效
| 申请号： | 201711456473.2 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109975622B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 唐敏注;汤士源;黄玉婷 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G01R29/24 | 分类号： | G01R29/24;G01R29/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 侦测 装置 | ||
1.一种静电侦测装置，适于侦测一待测物，其特征在于，该静电侦测装置包含：
载板，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；
感测电极，设于该第一表面上且具有一感测面，该感测面背向该第一表面，且该感测面用于面向且间隔于该待测物，以于该感测面及该待测物之间形成一感测距离；
介电膜层，设于该第二表面且该介电膜层的介电常数大于1；以及
接地电极，与该感测电极间隔设置，且该介电膜层位于该感测电极与该接地电极之间。
2.如权利要求1所述的静电侦测装置，其中该介电膜层的介电常数大于2。
3.如权利要求1所述的静电侦测装置，其中该介电膜层的材质为具钙钛矿结构的氧化物ABO3，其中A为Ba、Pb、Mg的其中一者或其上述任一组合；B为Ti、Zr、Hf、Sn、Ta、Mn、Co、Fe、Ni、Zn、Al、Mg的其中一者或其上述任一组合。
4.如权利要求1所述的静电侦测装置，其中该介电膜层为单一块材或多层复材。
5.一种静电侦测装置，适于侦测一待测物，其特征在于，该静电侦测装置包含：
载板，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；
感测电极，设于该第一表面上且具有一感测面，该感测面背向该第一表面，且该感测面用于面向且间隔于该待测物，以于该感测面及该待测物之间形成一感测距离；
介电膜层，设于该感测电极的该感测面上，且用于与该待测物间隔设置，该介电膜层的介电常数大于1；以及
接地电极，该接地电极与该载板间隔设置，且该第二表面朝向该接地电极。
6.如权利要求5所述的静电侦测装置，其中该介电膜层的介电常数大于2。
7.如权利要求5所述的静电侦测装置，其中该介电膜层的材质为具钙钛矿结构的氧化物ABO3，其中A为Ba、Pb、Mg的其中一者或其上述任一组合；B为Ti、Zr、Hf、Sn、Ta、Mn、Co、Fe、Ni、Zn、Al、Mg的其中一者或其上述任一组合。
8.如权利要求5所述的静电侦测装置，其中该介电膜层为单一块材或多层复材。
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