[发明专利]一种低吸收/发射比自适应控温材料及其制备方法有效
申请号: | 201711455657.7 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108129144B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 吕金鹏 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔;王慧颖 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸收 发射 自适应 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种低吸收/发射比自适应控温材料的制备方法,其特征在于,所述的方法具体制备步骤如下:
1)、称取1mol TiO2粉,0.4mol碳酸锶, 0.6mol碳酸钡,三者的纯度99.9%,粉末粒径在亚微米尺寸;
2)、将步骤1)称量好的粉末与玛瑙球、水按体积比1:1:1混合放入玛瑙球磨罐中,用行星式球磨机混合研磨24h,取出,100℃烘干;
3)、将步骤2)中的粉末过100目筛,放入刚玉坩埚置于马弗炉,进行1000℃预烧1h,随炉冷却至室温;
4)、将步骤3)中的粉末取出,放入0.005 mol Al2O3和0.024 mol 纳米SiO2,再次放入玛瑙罐中球磨10h,取出烘干;
5)、将步骤4)中的粉末加入聚乙烯醇水溶液造粒,聚乙烯醇水溶液加入量为粉末质量的5%,于150Mpa压力下压制成型,然后烧结,烧结温度为1350℃,保温时间3h。
2.根据权利要求1所述的一种低吸收/发射比自适应控温材料的制备方法制得的材料。
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