[发明专利]一种Nand flash元件有效

专利信息
申请号: 201711449618.6 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN108345429B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 庄开锋 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 nand flash 元件
【权利要求书】:

1.一种Nand flash元件,其特征在于,包括一个封装体,所述封装体内封装有Nandflash内核和内部控制器,所述内部控制器包括产品固件模块,其中:

所述内部控制器用于根据上位机发送的数据信息和控制信息对所述Nand flash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理;

所述产品固件模块用于根据所述上位机发送的控制指令对所述Nand flash内核进行地址映射管理、损耗均衡管理、读写擦除操作或初始化操作;

其中,所述产品固件模块包括前端子模块、FTL子模块和后端子模块,其中:

所述前端子模块用于与上位机进行通信;

所述FTL子模块用于根据从所述上位机接收的控制指令对所述Nand flash内核进行ECC校验管理、坏块管理、地址映射管理或损耗均衡管理;

所述后端子模块用于根据从上述上位机接收的控制指令对所述Nand flash内核进行读写操作;

其中,所述FTL子模块包括地址映射单元、地址偏移单元、地址保存单元和坏块记录单元,其中:

所述地址映射单元用于将所述Nand flash内核的物理块地址与所述上位机的逻辑块地址进行对应;

所述地址偏移单元用于根据所述逻辑块地址的偏移量对所述物理块地址进行同等偏移处理;

所述地址保存单元用于将所述逻辑块地址与所述物理块地址的对应关系进行保存;

所述坏块记录单元用于将变为坏块的物理块的物理块地址记录在坏块表中。

2.如权利要求1所述的Nand flash元件,其特征在于,所述前端子模块包括指令接收单元、第一发送单元和第二发送单元,其中:

所述指令接收单元用于接收所述上位机发送的控制指令;

所述第一发送单元用于将所述控制指令发送到所述FTL子模块;

所述第二发送单元用于向所述上位机返回反馈信息。

3.如权利要求1所述的Nand flash元件,其特征在于,所述后端子模块包括读写控制单元和初始化单元,其中:

所述读写控制单元用于根据从上位机接收到的控制指令对所述Nand flash内核进行读操作、写操作或擦除操作;

所述初始化单元用于根据所述控制指令对所述Nand flash内核进行初始化操作。

4.如权利要求1所述的Nand flash元件,其特征在于,所述产品固件模块还用于:

在不进行低级格式化操作的情况下进行自身内容的更新处理。

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