[发明专利]存储器的驱动电路及应用其的存储器在审
申请号: | 201711444707.1 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108172253A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 张臻贤;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 输入输出数据 驱动电路 信号线 驱动单元 加速存储器 存储阵列 写操作 近端 远端 应用 驱动 | ||
本发明提供一种存储器的驱动电路及应用其的存储器,存储器的驱动电路包括连接于输入输出数据信号线的近端的第一驱动单元以及连接于所述输入输出数据信号线的远端的第二驱动单元,可以分别从输入输出数据信号线的近端和远端驱动存储阵列,以加速存储器的写操作。
技术领域
本发明涉及半导体存储器技术领域,尤其涉及一种存储器的驱动电路及应用其的存储器。
背景技术
存储器对于时钟频率要求越来越高,相应地对于内部的读写操作也要求更快速。如图1所示为现有技术中常用的存储器的通讯示意图。在存储器的外围设计中,可以通过增加流水线或增加驱动管的尺寸来提高读写速度。如图2所示,存储器10包括存储阵列13,存储阵列13包括多个阵列分布的存储单元13A通过驱动单元11和信号线YIO′驱动每一个存储单元13A。较长的信号线YIO′会成为提高读写速度的瓶颈,即使将驱动管的尺寸增大两三倍也会因为电阻电容的限制,影响远端(远离驱动单元11的一端)的时序。另外一种方法是将存储阵列块分裂成更小的块,以提高读写速度,但会增加芯片尺寸和生产成本。
发明内容
本发明实施例提供一种存储器的驱动电路及应用其的存储器,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本发明实施例的一个方面,本发明实施例提供一种存储器的驱动电路,包括:
第一驱动单元,连接于输入输出数据信号线的近端,用于从所述输入输出数据信号线的近端驱动存储器;以及
第二驱动单元,连接于所述输入输出数据信号线的远端,用于从所述输入输出数据信号线的远端驱动所述存储器。
在一些实施例中,所述输入输出数据信号线包括:
第一输入输出数据信号线,用于传输第一输入输出数据信号;以及
第二输入输出数据信号线,用于传输第二输入输出数据信号,其中,所述第一输入输出数据信号和所述第二输入输出数据信号为差分信号对;
所述第二驱动单元包括:
灵敏放大器,连接于所述第一输入输出数据信号线的远端和所述第二输入输出数据信号线的远端,用于分别将所述第一输入输出数据信号和所述第二输入输出数据信号放大;以及
反馈增强电路,连接于所述灵敏放大器的输出端,用于根据放大后的第一输入输出数据信号将所述第一输入输出数据信号线的远端拉高至输出电源电压或拉低至接地电压,以及用于根据放大后的第二输入输出数据信号将所述第二输入输出数据信号线的远端拉高至电源电压或拉低至接地电压,以驱动所述存储器。
在一些实施例中,所述第二驱动单元还包括预置电路,连接于所述灵敏放大器和所述反馈增强电路之间,用于使所述灵敏放大器在工作前处于平衡状态。
在一些实施例中,所述第二驱动单元还包括复位置位锁存器,连接于所述灵敏放大器和所述反馈增强电路之间,用于锁存放大后的第一输入输出数据信号和放大后的第二输入输出数据信号。
在一些实施例中,所述反馈增强电路包括:
第一反馈增强子电路,连接于所述复位置位锁存器和所述第一输入输出数据信号线的远端之间,用于根据所述复位置位锁存器的输出将所述第一输入输出数据信号线的远端拉高至电源电压或拉低至接地电压;以及
第二反馈增强子电路,连接于所述复位置位锁存器和所述第二输入输出数据信号线的远端之间,用于根据所述复位置位锁存器的输出将所述第二输入输出数据信号线的远端拉高至电源电压或拉低至接地电压。
在一些实施例中,所述灵敏放大器包括交叉耦合放大器,连接于所述第一输入输出数据信号线的远端和所述第二输入输出数据信号线的远端,用于分别将所述第一输入输出数据信号和所述第二输入输出数据信号交叉耦合放大。
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