[发明专利]一种形成磁阻器件的方法以及磁阻器件

权利要求书

1.一种形成磁阻器件的方法，所述方法包括：

在基板上方形成磁性隧道结结构，该磁性隧道结结构在自底向上的方向上包括自由层、隧道势垒层和参考层，

在磁性隧道结结构上方形成钉扎层，用于钉扎参考层的磁化方向，

在钉扎层上方形成含Cr的覆盖层，以及

进行退火步骤，其中Cr从覆盖层至少扩散到钉扎层中，

其中，在钉扎层形成之后引入Cr，所述钉扎层在不存在Cr不利地影响钉扎层纹理的风险的情况下形成。

2.一种形成磁阻器件的方法，所述方法包括：

在基板上方形成磁性隧道结结构，该磁性隧道结结构在自底向上的方向上包括自由层、隧道势垒层和参考层，

在磁性隧道结结构上方形成钉扎层的至少一个子层，所述钉扎层用于钉扎参考层的磁化方向，

在所述钉扎层的至少一个子层上方形成含Cr的覆盖层，以及

进行退火步骤，其中Cr从覆盖层至少扩散到所述钉扎层的至少一个子层中，

其中，在钉扎层形成之后引入Cr，所述钉扎层的至少一个子层在不存在Cr不利地影响钉扎层纹理的风险的情况下形成。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，退火步骤调整为导致Cr从覆盖层扩散到参考层中。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述退火步骤调整为导致Cr从覆盖层扩散，并且参考层和自由层结晶。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述退火步骤包括使磁性隧道结结构、钉扎层和覆盖层经历至少250℃的环境温度。

6.如权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括在形成自由层之后并且在形成参考层之前，或者在形成参考层之后并且在形成钉扎层或钉扎层的至少一个子层之前，进行适合导致自由层和/或参考层结晶的退火步骤。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包括一个或多个Cr单层，或Cr和至少一种第二元素的组合。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，覆盖层包括重复排列的Cr层和选自下组的元素的层：Ni、Ta、Pt、Pd、Tb、Gd、W、Mo、Ru、Bi、Hf、Fe、Co、Ti、V。

9.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，钉扎层或所述钉扎层的至少一个子层包括硬磁层。

10.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，自由层和参考层各包括CoFeB层。

11.如权利要求1或2所述的方法，该方法还包括在参考层上形成间隔层，然后在间隔层上形成钉扎层。

12.一种磁阻器件，所述磁阻器件包括：

设置在基板上方的磁性隧道结结构，该磁性隧道结结构在自底向上的方向上包括自由层、隧道势垒层和参考层，

设置在参考层上方的钉扎层，该钉扎层适配为钉扎参考层的磁化方向，和

在钉扎层上方或者作为钉扎层子层的含Cr的覆盖层，

其中，至少钉扎层包含从覆盖层扩散到其中的Cr，

其中，在钉扎层形成之后引入Cr，所述钉扎层在不存在Cr不利地影响钉扎层纹理的风险的情况下形成。

13.如权利要求12所述的器件，其特征在于，所述覆盖层包括一个或多个Cr单层，或Cr和至少一种第二元素的组合。

14.一种包括多个如权利要求12-13中任一项所述的器件的磁阻随机存取存储器MRAM。