[发明专利]一种AB类音频功率放大器有效
申请号: | 201711441061.1 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108233878B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 薛蓉;张仁富 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/187;H03F3/21;H03G3/30 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ab 音频 功率放大器 | ||
本发明实施例公开了一种AB类音频功率放大器,该放大器包括:输入电路、偏置电路、放大电路、输出电路、共模反馈电路和密勒补偿电路,所述放大电路包括第一组成电路、第二组成电路和第三组成电路,所述第三组成电路包括除包括第九晶体管和第十晶体管外,还包括第七晶体管和第八晶体管;所述第七晶体管的栅极与第五偏置电压电连接,源极与所述第九晶体管的漏极电连接,漏极与所述第一组成电路的第一端电连接,衬底接地;所述第八晶体管的栅极与所述第五偏置电压电连接,源极与所述第十晶体管的漏极电连接,漏极与所述第一组成电路的第二端电连接,衬底接地,以实现较宽的电压范围内,所述放大器的电压增益不随电源电压VPVDD的变化而变化。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种AB类音频功率放大器。
背景技术
随着科技水平的提高,功率集成电路发展迅速。功率集成电路是指将高压功率器件与信号处理系统及外围驱动电路、接口电路、保护电路、检测电路等集成在同一芯片上的集成电路。音频功率放大器是功率集成电路中的一个重要组成部分,并且广泛应用于消费类电子产品中。
如图1所示,图1示出了现有AB类音频功率放大器的电路结构示意图。现有AB类音频功率放大器的电源电压VPVDD会在一定范围内波动,当电源电压VPVDD升高到一定电压时,晶体管M9和M10的漏电压会随着VPVDD的上升而上升,使得晶体管M9和M10的漏极-衬底电压差VDB增大,造成晶体管M9和M10的漏极-衬底存在漏电流,降低该AB类音频功率放大器的增益。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种AB类音频功率放大器,以实现较宽电压范围内,该放大器的增益保持不变。
为解决上述问题,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种AB类音频功率放大器,该放大器包括:输入电路、偏置电路、放大电路、输出电路、共模反馈电路和密勒补偿电路,其中,所述放大电路包括第一组成电路、第二组成电路和第三组成电路,所述第三组成电路包括:第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管;
所述第九晶体管的栅极与所述第十晶体管的栅极电连接,源极与所述第二组成电路的第一端电连接,漏极与所述第七晶体管的源极电连接,衬底接地;
所述第七晶体管的栅极与第五偏置电压电连接,源极与所述第九晶体管的漏极电连接,漏极与所述第一组成电路的第一端电连接,衬底接地;
所述第十晶体管的栅极与所述第九晶体管的栅极电连接,源极与所述第二电路的第二端电连接,漏极与所述第八晶体管的源极电连接,衬底接地;
所述第八晶体管的栅极与所述第五偏置电压电连接,源极与所述第十晶体管的漏极电连接,漏极与所述第一组成电路的第二端电连接,衬底接地。
可选的,所述第五偏置电压满足以下关系:
VPVDD-VSG27+VTH7≥VB≥VGS9-VTH9+VGS7+VD-VTH11;
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