[发明专利]一种AB类音频功率放大器有效
申请号: | 201711441061.1 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108233878B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 薛蓉;张仁富 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/187;H03F3/21;H03G3/30 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ab 音频 功率放大器 | ||
1.一种AB类音频功率放大器,其特征在于,该放大器包括:输入电路、偏置电路、放大电路、输出电路、共模反馈电路和密勒补偿电路,其中,所述放大电路用于对所述输入电路输出的信号进行放大,输出给所述输出电路;所述共模反馈电路用于检测所述输出电路输出端的共模电压;所述偏置电路用于为所述放大电路提供偏置;所述密勒补偿电路用于满足所述AB类音频功率放大器的稳定性要求;所述放大电路包括第一组成电路、第二组成电路和第三组成电路,所述第三组成电路包括:第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管;
所述第九晶体管的栅极与所述第十晶体管的栅极电连接,源极与所述第二组成电路的第十一晶体管的漏极电连接,漏极与所述第七晶体管的源极电连接,衬底接地;
所述第七晶体管的栅极与第五偏置电压电连接,源极与所述第九晶体管的漏极电连接,漏极与所述第一组成电路的第三晶体管的源极电连接,衬底接地;
所述第十晶体管的栅极与所述第九晶体管的栅极电连接,源极与所述第二组成电路的第十二晶体管的漏极电连接,漏极与所述第八晶体管的源极电连接,衬底接地;
所述第八晶体管的栅极与所述第五偏置电压电连接,源极与所述第十晶体管的漏极电连接,漏极与所述第一组成电路的第四晶体管的源极电连接,衬底接地;
所述第一组成电路包括:第三晶体管、第四晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管和第十九晶体管;
所述第十六晶体管的栅极与第二十晶体管的栅极电连接,源极与电源电压电连接,漏极与所述第十八晶体管的源极电连接,衬底与所述电源电压电连接;
所述第十七晶体管的栅极与第二十一晶体管的栅极电连接,源极与所述电源电压电连接,漏极与所述第十九晶体管的源极电连接,衬底与所述电源电压电连接;
所述第十八晶体管的栅极与第四偏置电压电连接,源极与所述第十六晶体管的漏极电连接,漏极与所述第三晶体管的源极电连接,衬底与所述电源电压电连接;
所述第十九晶体管的栅极与所述第四偏置电压电连接,源极与所述第十七晶体管的漏极电连接,漏极与所述第四晶体管的源极电连接,衬底与所述电源电压电连接;
所述第三晶体管的栅极与第二十三晶体管和第一电流源的公共端电连接,源极与所述第十八晶体管的漏极电连接,漏极与所述第二组成电路的第十一晶体管的漏极电连接,衬底与其自己的源极电连接;
所述第四晶体管的栅极与所述第二十三晶体管和所述第一电流源的公共端电连接,源极与所述第十九晶体管的漏极电连接,漏极与所述第二组成电路的第十二晶体管的漏极电连接,衬底与其自己的源极电连接;
所述第二组成电路包括:第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管和第十四晶体管;
所述第十一晶体管的栅极与第三偏置电压电连接,源极与所述第十三晶体管的漏极电连接,漏极与所述第九晶体管的源极电连接,衬底接地;
所述第十二晶体管的栅极与所述第三偏置电压电连接,漏极与所述第十晶体管的源极电连接,源极与所述第十四晶体管的漏极电连接,衬底接地;
所述第十三晶体管的栅极与所述共模反馈电路的正输出端电连接,源极接地,漏极与所述第十一晶体管的源极电连接,衬底接地;
所述第十四晶体管的栅极与所述共模反馈电路的正输出端电连接,源极接地,漏极与所述第十二晶体管的源极电连接,衬底接地。
2.根据权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述第五偏置电压满足以下关系:
VPVDD-VSG27+VTH7≥VB≥VGS9-VTH9+VGS7+VD-VTH11;
其中,VB表示所述第五偏置电压;VPVDD表示所述AB类音频功率放大器的电源电压;VSG27表示第二十七晶体管的源极和栅极之间的电压差;VTH7表示所述第七晶体管的阈值电压;VGS9表示第九晶体管的栅极和源极之间的电压差;VTH9表示第九晶体管的阈值电压;VGS7表示第七晶体管的栅极和源极之间的电压差;VD表示第三偏置电压;VTH11表示所述放大电路中第十一晶体管的阈值电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海艾为电子技术股份有限公司,未经上海艾为电子技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711441061.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:低噪声放大器的制作工艺
- 下一篇:偏置电路