[发明专利]单激励微放电射频噪声信号抑制方法及装置

说明书

本发明提供一种单激励微放电射频噪声信号抑制装置及方法。该装置包括：微波器件和滤波器；所述微波器件后端串联所述滤波器，所述滤波器的频率参数根据所述微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率确定，以抑制所述射频噪声信号。由于微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率位于滤波器的频率参数限定的禁止通过频率范围内，滤波器能够准确地抑制射频噪声信号。因此，本发明具有很好的射频噪声信号抑制效果。

技术领域

本发明涉及射频噪声信号测量技术领域，更具体地，涉及一种单激励微放电射频噪声信号抑制方法及装置。

背景技术

微波器件在使用过程中，可能会出现二次电子发射与雪崩放电现象。这种现象为微放电效应，它会产生射频噪声信号对通信造成干扰。为了避免射频噪声信号干扰，相关技术一般局限于对微波器件表面进行化学处理，以抑制射频噪声信号。具体地，主要通过如下两种方法对微波器件表面进行化学处理：

第一种方法，利用化学方法微刻蚀微波器件的铝合金表面，使其表面形成纳米微陷阱以抑制射频噪声信号向外辐射。测试微刻蚀后的微波器件的射频噪声信号辐射情况，如果向外辐射的射频噪声信号较多，则对纳米微陷阱的大小、深度及密度进行调整。重复上述测试和纳米微陷阱的调整直至微波器件向外辐射的射频噪声信号少于预设阈值。

第二种方法，通过铬酸盐转化膜工艺方法对微波器件的铝合金表面进行处理。测试微刻蚀后的微波器件的射频噪声信号辐射情况，如果向外辐射的射频噪声信号较多，则调整铬酸盐转化膜工艺对应的配方。重复上述测试和配方的调整直至微波器件向外辐射的射频噪声信号少于预设阈值。

上述方法均为无针对性的尝试性调整，很难获得很好的射频噪声信号抑制效果。

发明内容

本发明提供一种单激励微放电射频噪声信号抑制方法及装置，以克服现有技术中对微波器件表面进行化学处理以抑制射频噪声信号的方法均为无针对性的尝试性调整，很难获得很好的射频噪声信号抑制效果的问题。

根据本发明的一个方面，提供一种单激励微放电射频噪声信号抑制装置，包括：微波器件和滤波器；所述微波器件后端串联所述滤波器，所述滤波器的频率参数根据所述微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率确定，以抑制所述射频噪声信号。

根据本发明的另一个方面，提供一种单激励微放电射频噪声信号抑制方法，包括：将滤波器串联于微波器件后端，以用于对所述微波器件产生的射频噪声信号进行抑制；其中，所述滤波器的频率参数根据所述微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率确定。

本发明提出的单激励微放电射频噪声信号抑制装置及方法，通过串联于微波器件后端的滤波器对微波器件产生的射频噪声信号进行抑制。其中，滤波器的频率参数根据所述微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率确定，以抑制所述射频噪声信号。也就是，令微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率位于滤波器的频率参数限定的禁止通过频率范围内，则滤波器能够准确地抑制射频噪声信号。因此，本发明具有很好的射频噪声信号抑制效果。

附图说明

图1为根据本发明实施例的一种单激励微放电射频噪声信号抑制装置示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

如图1所示，根据本发明的一个方面，提供一种单激励微放电射频噪声信号抑制装置，包括：微波器件101和滤波器102；所述微波器件101后端串联所述滤波器102，所述滤波器102的频率参数根据所述微波器件101在单激励下产生的射频噪声信号的频率确定，以抑制所述射频噪声信号。