[发明专利]单激励微放电射频噪声信号抑制方法及装置

权利要求书

1.一种单激励微放电射频噪声信号抑制装置，其特征在于，包括：微波器件和滤波器；

所述微波器件后端串联所述滤波器，所述滤波器的频率参数根据所述微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率确定，以抑制所述射频噪声信号；

所述微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率的确定方式为：对所述微波器件在单激励下产生的谐振电子云进行划分，得到若干电子薄膜层；确定任一电子薄膜层的电流密度频谱特征函数，并根据所述任一电子薄膜层的电流密度频谱特征函数，获取所述射频噪声信号的频率。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述滤波器为带阻滤波器，所述带阻滤波器数目为至少一个。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述滤波器的频率参数根据所述微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率和所述微波器件输出信号中期望传输信号的频率确定。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述滤波器为低通滤波器、高通滤波器、带阻滤波器或带通滤波器。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述任一电子薄膜层的电流密度函数中包括所述任一电子薄膜层的运动速度函数；相应地，所述任一电子薄膜层的电流密度频谱特征函数的确定方式为：在所述任一电子薄膜层的电流密度函数中，将所述任一电子薄膜层的运动速度函数中的周期常数分量进行傅里叶级数展开，获得所述任一电子薄膜层的电流密度频谱特征函数。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述任一电子薄膜层的运动速度函数表达式为：

其中，e为电子电量，m为电子质量，U₀为激励电场信号的幅值，ω₀为激励电场信号的角频率，h为平行导体的间距，V₀为所述任一电子薄膜层的初始运动速度，t₀为所述任一电子薄膜层的发射时间，T＝2π/ω₀所述任一电子薄膜层的谐振周期，N为微放电阶数；

所述任一电子薄膜层的电流密度函数表达式为：

J＝-σv(t)，

其中，σ为所述任一电子薄膜层的面电荷密度；

所述任一电子薄膜层的电流密度频谱特征函数表达式为：

其中，s取正整数，n取正奇数，N为微放电阶数。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述任一电子薄膜层的运动速度函数表达式为：

其中，e为电子电量，m为电子质量，U₀为激励电场信号的幅值，ω₀为激励电场信号的角频率，h为平行导体的间距，V₀为所述任一电子薄膜层的初始运动速度，t₀为所述任一电子薄膜层的发射时间，T＝2π/ω₀所述任一电子薄膜层的谐振周期，N为微放电阶数；

所述任一电子薄膜层的电流密度函数表达式：

其中，σ为所述任一电子薄膜层的面电荷密度，为所述任一电子薄膜层的运动方向；

所述任一电子薄膜层的电流密度频谱特征函数表达式为：

其中，s取正整数，n取正奇数，N为微放电阶数。

8.一种基于权利要求1至7中任一所述装置的单激励微放电射频噪声信号抑制方法，其特征在于，包括：

将滤波器串联于微波器件后端，以用于对所述微波器件产生的射频噪声信号进行抑制；其中，所述滤波器的频率参数根据所述微波器件在单激励下产生的射频噪声信号的频率确定。