[发明专利]动态随机存取存储器及其电源管理方法有效
申请号: | 201711430840.1 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN109300497B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 李忠勋;刘献文 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074;G11C5/14 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 电源 管理 方法 | ||
本公开提供一种动态随机存取存储器(DRAM)及其电源管理方法。该DRAM包括多个存储库、一电源、一控制元件。所述存储库各包括多个次阵列。该控制元件经配置以获得一信息。该信息涉及所述次阵列中被操作的次阵列的数量。该控制元件基于该信息产生一决定,该决定是输出多少量的电能,其中该电源基于该控制元件的该决定输出一结果量的电能。本公开的技术方案可以提高电源使用效率。
技术领域
本公开涉及一动态随机存取存储器及其方法,尤其是指一种动态随机存取存储器的电源管理方法。
背景技术
半导体存储器装置,例如动态随机存取存储器(DRAM),将数据存储在存储器单元中的一阵列内。存储器单元通常以行和列排列。一列中的存储器单元连接在一起成为一字元线,而一行中的存储器单元连接在一起成为一位元线。DRAM也包含许多需要多于一个电压的电路以用于操作。电荷泵安置于DRAM之中,从外部电压供应可以产生和稳定DRAM的内部供应电压。
上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术,并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的,不构成本公开的现有技术,且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
发明内容
本公开的一实施例提供一种动态随机存取存储器(DRAM)。该DRAM包括多个存储库、一电源、一控制元件。所述存储库各包括多个次阵列。该控制元件经配置以获得一信息。该信息涉及所述次阵列中被操作的次阵列的数量。该控制元件基于该资产生一决定,该决定是输出多少量的电能,其中该电源基于该控制元件的该决定输出一结果量的电能。
在一些实施例中,当一数量比大于一比例范围的一最高端点时,该控制元件决定输出一第一电能,以及当该数量比小于该比例范围的一最低端点时,决定输出小于该第一电能的一第二电能。该数量比为所述次阵列中被操作的次阵列的数量比上所述次阵列的数量的比例。
在一些实施例中,当该数量比小于该比例范围的该最高端点且大于该比例范围的该最低端点时,该控制元件决定输出大于该第二电能及小于该第一电能的一第三电能。
在一些实施例中,该电源包括多个彼此独立的电荷泵。当该控制元件决定输出该第一电能时,该控制元件增加所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量。
在一些实施例中,该电源包括多个彼此独立的电荷泵。当该控制元件决定输出该第二电能时,该控制元件减少在所述电荷泵中的被使能电荷泵的数量。
在一些实施例中,该控制元件接收多个位址,其中所述位址中的每个位址指示哪个次阵列被操作。该控制元件经配置以基于所述位址获得该信息。
在一些实施例中,该DRAM还包括一计数器。该计数器经配置以计数在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的一数量,其中该控制元件,基于从该计数器取得的在所述次阵列中被操作的次阵列的该位址的该数量,获得该信息。
在一些实施例中,该DRAM包括一分配元件。该分配元件,经配置以依一分配方式,分配该结果量的电能至在所述存储库中包括被操作的次阵列的存储库,该分配方式包括分配至该包括被操作次阵列的存储库的电能的量正相关于被操作的次阵列的数量。
在一些实施例中,该控制元件包括一表,该表经配置以记录所述位址,以及该分配元件基于记录于该表中的所述位址分配该结果量的电能。
在一些实施例中,该控制元件包括一组合逻辑。
在一些实施例中,当所述电荷泵中的每一者被使能时,该每一者输出一相同量的电能。
本公开的另一实施例提供一种动态随机存取存储器的电源管理方法。该电源管理方法包括提供多个存储库,所述存储库各包括多个次阵列;获得一信息,该信息涉及在所述次阵列中被操作的次阵列的数量;基于该信息产生一决定,其中该决定是输出多少量的电能;以及基于该决定,输出一结果量的电能。
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