[发明专利]一种压控振荡器电路有效
申请号: | 201711394141.6 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN107979356B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 张宁;王志利 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H03K3/03 | 分类号: | H03K3/03;H03K3/013;H03L7/099 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压控振荡器 电路 | ||
1.一种压控振荡器电路,包括:
电压转电流模块,用于将PLL低通滤波器的输出的压控电压VC转换为与其相关的电流;
压控振荡器,用于在所述电压转电流模块产生的电流的控制下改变输出信号的频率;
所述电压转电流模块包括:
第一电流镜,用于产生固定拉电流偏置I0向外输出以调整压控振荡器的受控范围;
电压电流转换单元,用于将所述压控电压VC转换为线性灌电流I1;
第二电流镜,用于将线性灌电流I1转化为拉电流I1向外输出;
第三电流镜,将所述第一电流镜和第二电流镜输出的固定拉电流偏置I0和拉电流I1合并产生灌电流I2;
第四电流镜,用于将所述第三电流镜产生的灌电流I2转换为拉电流I2向外输出至所述压控振荡器。
2.如权利要求1所述的一种压控振荡器电路,其特征在于,所述第一电流镜包括参考电流源Iref0、第一PMOS管和第二PMOS管,所述第一PMOS管、第二PMOS管的源极连接至电源电压,第一PMOS管的栅极和漏极短接并与参考电流源Iref0的一端和第二PMOS管的栅极相连,所述参考电流源Iref0的另一端接地,所述第二PMOS管的漏极连接至所述第二电流镜、第三电流镜。
3.如权利要求2所述的一种压控振荡器电路,其特征在于:所述电压电流转换单元包括第一NMOS管和第一电阻,所述第一NMOS管漏极接第二电流镜,栅极接所述压控电压VC,源极与第一电阻的一端相连组成节点VB,所述第一电阻的另一端接地。
4.如权利要求3所述的一种压控振荡器电路,其特征在于:所述第二电流镜包括第三PMOS管和第四PMOS管,所述第三PMOS管、第四PMOS管源极接电源电压,第三PMOS管的栅极和漏极短接并与第一NMOS管的漏极和第四PMOS管的栅极相连,第四PMOS管漏极接所述第二PMOS管漏极与第三电流镜。
5.如权利要求4所述的一种压控振荡器电路,其特征在于:所述第三电流镜包括第二电阻、第二NMOS管和第三NMOS管,所述第二PMOS管和第四PMOS管的漏极接所述第二电阻的一端,第二NMOS管的源极和第三NMOS管的源极接地,第二NMOS管的栅极和漏极短接并与第三NMOS管的栅极相连,第三NMOS管的漏极接所述第四电流镜。
6.如权利要求5所述的一种压控振荡器电路,其特征在于:所述第四电流镜包括第五PMOS管和第六PMOS管,所述第五PMOS管和第六PMOS管源极接电源电压,第五PMOS管的栅极和漏极短接并与第六PMOS管的栅极以及第三NMOS管的漏极相连,第六PMOS管的漏极连接至所述压控振荡器。
7.如权利要求1所述的一种压控振荡器电路,其特征在于:所述压控振荡器为电流驱动型环形振荡器。
8.如权利要求7所述的一种压控振荡器电路,其特征在于:所述压控振荡器包括奇数个首尾相连的反相器,所述电压转电流模块输出的电流连接至各反相器的电流控制端。
9.如权利要求6所述的一种压控振荡器电路,其特征在于:所述压控振荡器包括奇数个首尾相连的反相器,所述第六PMOS管的漏极连接至各反相器的电流控制端。
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