[发明专利]基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯

权利要求书

1.一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：

第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极，其中，

所述公共正电极组件设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件及所述白光发光组件上，所述第一蓝光发光组件负电极、所述第一红光发光组件负电极、所述第一绿光发光组件负电极分别设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件上，所述白光发光组件负极设置于所述白光发光组上。

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括：

第一SiO₂隔离壁，设置于隔离所述蓝光发光组件与所述红光发光组件之间；

第二SiO₂隔离壁，设置于隔离所述红光发光组件与所述绿光发光组件之间；

白光隔离壁，设置于隔离所述绿光发光组件与所述白光发光组件之间。

3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述白光发光组件包括第二蓝光发光组件、第二红光发光组件、第二绿光发光组件，所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及第二绿光发光组件用于在驱动电压的控制下合成白光。

4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述公共正电极组件包括：

第一金属接触层，设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件上表面；

反光金属层，设置于所述第一金属接触层上；

第二金属接触层，设置于所述反光金属层上；

导电衬底层，设置于所述第二金属接触层上。

5.如权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述白光发光组件负极包括：

第二蓝光发光组件负电极，设置于所述第二蓝光发光组件上；

第二红光发光组件负电极，设置于所述第二红光发光组件上；

第二绿光发光组件负电极，设置于所述第二绿光发光组件上。

6.如权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述蓝光发光组件依次包括：

第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一n型GaN层、第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)、第一p型AlGaN阻挡层(105)及第一p型GaN层(106)。

7.如权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述红光发光组件依次包括：

第二GaN缓冲层、n型GaAs缓冲层、n型GaAs稳定层、GalnP/A1GaInP多量子阱有源层、p型A1GaInP阻挡层及p型GaAs接触层。

8.如权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述绿光发光组件依次包括：

第三GaN缓冲层、第二GaN稳定层、第二n型GaN层、第二InGaN/GaN多量子阱有源层、第二p型AlGaN阻挡层及第二p型GaN层。

9.一种LED灯，包括LED支架，其特征在于，还包括如权利要求1～8任一项所述的LED芯片，所述LED芯片装载于所述LED支架上。