[发明专利]基于SiC的多色LED芯片在审
| 申请号： | 201711382298.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107910417A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 sic 多色 led 芯片 | ||
1.一种基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，包括：蓝光芯片结构(10)，嵌入所述蓝光芯片结构(10)内的红光芯片结构(20)、绿光芯片结构(30)、黄光芯片结构(40)，其中，所述红光芯片结构(20)、所述绿光芯片结构(30)、所述黄光芯片结构(40)的底部均位于所述蓝光芯片结构(10)的缓冲层(101)内。
2.根据权利要求1所述的基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，所述蓝光芯片结构(10)包括依次层叠设置的SiC衬底(11)、蓝光GaN缓冲层(101)、蓝光GaN稳定层(102)、蓝光n型GaN层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光p型AlGaN阻挡层(105)、蓝光p型GaN层(106)。
3.根据权利要求1所述的基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，所述蓝光芯片结构(10)、所述红光芯片结构(20)、所述绿光芯片结构(30)、所述黄光芯片结构(40)之间采用SiO2材料作为隔离层。
4.根据权利要求1所述的基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，所述蓝光芯片结构(10)、所述红光芯片结构(20)、所述绿光芯片结构(30)、所述黄光芯片结构(40)的截面均为矩形。
5.根据权利要求4所述的基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，所述蓝光芯片结构(10)、所述红光芯片结构(20)、所述绿光芯片结构(30)、所述黄光芯片结构(40)依次相邻成线性排列。
6.根据权利要求4所述的基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，所述蓝光芯片结构(10)、所述红光芯片结构(20)、所述绿光芯片结构(30)、所述黄光芯片结构(40)的截面呈正方形排列。
7.根据权利要求4所述的基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，所述矩形的长和宽均大于50微米，小于300微米。
8.根据权利要求4所述的基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，所述矩形的长和宽均等于100微米。
9.根据权利要求1所述的基于SiC的多色LED芯片，其特征在于，还包括上电极(51)和下电极(52)。
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