[发明专利]一种智能识别芯片上的电源产生装置

说明书

技术领域

本发明属于模拟集成电路中电源电路的技术领域，特别涉及一种智能识别芯片上的电源产生装置。

背景技术

传统的电源架构中，会由于电源架构设置不合理而导致上电失败，从而无法产生正确的电源电压值。如图1所示，RFVDD上电后，将电源电压VDD冲高，从而使得BGR工作产生VREF，然后再通过VREF来产生精准的VDD电压。其潜在的缺陷在于PM1管打开的时间不够长，导致BGR还没有来得及产生稳定的VREF电压，从而导致无法产生想要的电源电压值，另外比较器的两个输入端VREF值和电阻分压值会有一定的波动，导致电压还未稳定时比较器就输出将PMOS关闭，同样导致无法得到稳定的电源电压值。总之传统的这种电源架构无法完全保证上电的过程中其功能都正确，其工作稳定性还比较容易受到工艺的影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种智能识别芯片上的电源产生装置，保证在各种工作条件下，都能产生稳定且精确的电源电压，从而给芯片其他模块提供稳定的工作电源。

为了实现以上目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种智能识别芯片上的电源产生装置，其特点是，包含：

偏置电路模块，其由电压RFVDD供电并产生一参考电压VREF1；

LDO模块，其输入端连接于偏置电路模块，用将所述的电压RFVDD转为电压VDD；

BGR模块，其连接于LDO模块，并由电压VDD供电且产生一参考电压VREF2；

电压比较模块，用于比较参考电压VREF1与电压VREF2，输出对应的高低电平；

电压切换模块，用于根据输出对应的高低电平选择输出对应的参考电压，并将输出对应的参考电压送至LDO模块中。

所述的偏置电路模块包含：电容C1、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和电阻R1；

所述的电容C1一端输入电压RFVDD，另一端分别连接于第一NMOS管漏极和第二NMOS管栅极；

所述的第二NMOS管漏极连接于第四NMOS管漏极；

所述的第一PMOS管源极输入电压RFVDD，其漏极分别连接于所述第三NMOS管的漏极和栅极；

所述第二PMOS管的栅极和漏极短接且连接于第四NMOS管漏极，第二PMOS管的栅极连接于第一PMOS管栅极，所述第二PMOS管源极连接于第一PMOS管源极；

所述的第四NMOS管栅极连接于第三NMOS管栅极，所述的第四NMOS管连接电阻R1；

所述的第三PMOS管栅极连接于第二PMOS管漏极，所述的第三PMOS管漏极连接于第五NMOS管的栅极和漏极，所述的第三PMOS管源极连接于第二NMOS管源极。

所述的第三PMOS管漏极与第五NMOS管漏极之间产生参考电压VREF1。

所述的LDO模块包含：第一比较器、第四PMOS管、电阻R2、电阻R3和电容C2；

所述的第四PMOS管源极输入电压RFVDD，漏极连接于电阻R2一端，栅极连接于第一比较器的输出端；

所述的第一比较器正相输入端连接于电阻R2另一端和电阻R3一端；

所述的电容C2一端连接于电阻R2一端。

所述的BGR模块一端连接于电容C2一端。

所述的电压比较模块包含依次相连的第二比较器、第一反相器和第二反相器；

所述的第二比较器正相输入端输入参考电压VREF1，其反相输入端输入参考电压VREF2；

若参考电压VREF1高于参考电压VREF2，所述的第一反相器输出低电平，所述的第二反相器输出高电平；

若参考电压VREF1低于参考电压VREF2，所述的第一反相器输出高电平，所述的第二反相器输出低电平。

所述的电压切换模块包含：

第五PMOS管，其源极输入参考电压VREF2，栅极连接于第二反相器输出端；

第六PMOS管，其源极输入参考电压VREF1，栅极连接于第一反相器输出端，漏极与第五PMOS管漏极相连；

所述的第六PMOS管漏极与第五PMOS管漏极之间产生一参考电压VREF3。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：

本发明先采用粗略的偏置电路产生一个参考电压，从而通过LDO产生电源电压VDD，然后BGR模块工作并产生更加精准的参考电压，通过切换参考电压，最终再产生精准的电源电压，从而完成整个上电的过程。