[发明专利]一种具有温度、工艺补偿功能的毛刺检测电路

权利要求书

1.一种具有温度、工艺补偿功能的毛刺检测电路，其特征在于：它包括温度工艺补偿电压生成和偏置电流生成电路、第三PMOS管、第四PMOS管、第一低通滤波电路、第二低通滤波电路和高通滤波电路；

温度工艺补偿电压生成和偏置电流生成电路输出的补偿电压连接第一低通滤波电路输入端、高通滤波电路输出端和第四PMOS管的源极，温度工艺补偿电压生成和偏置电流生成电路输出的偏置电流连接第三PMOS管和第四PMOS管的漏极并作为输出信号；

第一低通滤波电路输出端连接第三PMOS管的源极，第三PMOS管的栅极连接电源VDD和第二低通滤波电路的输入端；

第四PMOS管的源极还连接高通滤波电路的输出端，高通滤波电路的输入端与电源VDD相连，第四PMOS管的栅极连接第二低通滤波电路的输出端，第四PMOS管的漏极接OUT输出端；

温度工艺补偿电压生成和偏置电流生成电路包括n个补偿电压生成基本单元、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，n个补偿电压生成基本单元包括第1补偿电压生成基本单元；…；第n补偿电压生成基本单元；

第1补偿电压生成基本单元包括第一单元PMOS管I、第一单元PMOS管II；…；第n补偿电压生成基本单元由第n单元PMOS管I、第n单元PMOS管II；

第一单元PMOS管I源极作为补偿电压生成基本单元的输入端连接电源VDD，第一单元PMOS管I栅极连接第一单元PMOS管II的栅极和漏极作为补偿电压生成基本单元的输出端，第一单元PMOS管I漏极连接第一单元PMOS管II的源极并作为补偿电压输出；

第2补偿电压生成基本单元由第二单元PMOS管I和第二单元PMOS管II组成，第二单元PMOS管I源极作为第2补偿电压生成基本单元的输入端连接第1补偿电压生成基本单元的输出端，第二单元PMOS管I栅极连接第二单元PMOS管II的栅极和漏极作为第二补偿电压生成基本单元的输出端，第二单元PMOS管I漏极与第二单元PMOS管II源极串接；

当n＝2时，第2补偿电压生成基本单元的输出端即为第n补偿电压生成基本单元的输出端；

当n大于2时，与第2补偿电压生成基本单元连接的后续补偿电压生成基本单元与第2补偿电压生成基本单元的结构一致，且第2个补偿电压生成基本单元的后续补偿电压生成基本单元依次级联；其中，最后一个第n单元PMOS管I栅极连接第n单元PMOS管II的栅极和漏极并连接到地GND，第n单元PMOS管I漏极连接第n单元PMOS管II的源极，第n单元PMOS管I源极作为第n个补偿电压生成基本单元的输入端连接上一个补偿电压生成基本单元的输出；

第一NMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极相连并连接第二NMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极；第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的源极接地；

第二PMOS管栅极与第一PMOS管栅极相连并连接至第一单元PMOS管II漏极，第一PMOS管源极接电源VDD；

第一低通滤波电路包括第一电阻和第一电容，第一电阻接第一单元PMOS管I漏极，第一电阻与第一电容串接后其公共节点连接第三PMOS管的源极；

第二低通滤波电路包括第二电阻和第二电容，第二电阻的一端分别连接电源VDD和第三PMOS管的栅极，第二电阻的另一端分别连接第四PMOS管的栅极和第二电容，第二电容接地；

高通滤波电路包括第三电容，第三电容的一端接电源VDD，第三电容的另一端分别接第一PMOS管的漏极和第四PMOS管的源极；

第三PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管的漏极相连并接到OUT端。

2.根据权利要求1所述的一种具有温度、工艺补偿功能的毛刺检测电路，其特征在于：向上毛刺检测阈值为V_DD/n，向下毛刺检测阈值为V_DD/n，其中n为补偿支路中补偿电压生成基本单元级数，n≥2且n为整数。

3.根据权利要求1所述的一种具有温度、工艺补偿功能的毛刺检测电路，其特征在于：温度工艺补偿电压生成和偏置电流生成电路，输出补偿电压为(n-1)×V_DD/n+V_GSP，其中n为补偿支路中补偿电压生成基本单元级数，V_GSP为第一单元PMOS管II的栅极与源极之间的电压。