[发明专利]一种胶水固化程度检测方法在审
申请号: | 201711366223.X | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN108333068A | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 戴海亮;汤剑波;王家松;张伟 | 申请(专利权)人: | 海太半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G01N3/42 | 分类号: | G01N3/42 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人: | 赵华 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 胶水 半固化 程度检测 胶水固化 邵氏硬度 下压 压针 半导体封装过程 程度测量 经验识别 样品表面 压入 压足 判定 平行 硬化 坚固 垂直 参考 检测 | ||
本发明提供一种胶水固化程度检测方法,目的在于改变在半导体封装过程中胶水半固化程度的检测仅凭肉眼和经验识别的方法;包括提供A型邵氏硬度计,半固化胶水样品;步骤一,将半固化胶水样品至于坚固平面;步骤二,A型邵氏硬度计压针至边缘;步骤三,将压足平行下压在半固化胶水样品表面;步骤四,压针垂直压入样品;步骤五,完成下压后立刻读数;步骤六,根据胶水硬化程度测量得到的硬度数值,参考硬度范围等级进行判定有无品质隐患。
技术领域
本发明涉及一种胶水固化检测方法,尤其涉及一种晶元粘贴过程中胶水固化检测方法。
背景技术
已公开中国实用新型专利,公开号:CN102496586A,专利名称:检测光刻胶缺陷的方法,申请日:20111124,其公开了一种检测光刻胶缺陷的方法,包括:提供半导体晶圆,涂覆光刻胶;对所述光刻胶进行前测,统计缺陷数量,得到前值;按照参照时间和参照温度参数烘烤所述涂覆好光刻胶的半导体晶圆;对所述光刻胶进行后测,统计缺陷数量,得到后值;比较前值和后值,判断所述光刻胶是否合格。所述参照时间和参照温度由参数确定实验确定。本发明的检测光刻胶缺陷的方法快捷有效,节省时间,并且大大的节省了整个工艺成本和缩短了工艺周期。
胶水在半导体封装过程中大量应用,但是目前针对胶水半固化程度的检测依赖于晶元粘贴作业后胶水的形态来进行判定,发现异常时已经产生大量不良产品,并且判定时需要相关技术人员有足够的经验支撑。胶水固化不足和过度分别导致胶水侵犯芯片和气泡,造成不良品,不利于预防品质隐患。
发明内容
本发明的目的在于改变在半导体封装过程中胶水半固化程度的检测仅凭肉眼和经验识别的方法。
本发明提供一种胶水固化程度检测方法,
包括提供A型邵氏硬度计,半固化胶水样品;
步骤一,将半固化胶水样品至于坚固平面;
步骤二,A型邵氏硬度计压针至边缘;
步骤三,将压足平行下压在半固化胶水样品表面;
步骤四,压针垂直压入样品;
步骤五,完成下压后立刻读数;
步骤六,根据胶水硬化程度测量得到的硬度数值,参考硬度范围等级进行判定有无品质隐患;
优选的,所述判定方法为,对胶水固化条件进行线性由下至上调整作业,得到50组固化程度不同的试样,进行晶元粘贴作业,根据晶元粘贴作业后胶水形态进行区分;
优选的,所述50租固化程度试样分为5个等级硬度范围;
优选的,所述5个等级硬度范围包括A级,B级,C级,D级,E级;所述A级硬度范围为0-10;所述B级硬度范围为10-15:所述C级硬度范围为15-20;所述D级硬度范围为20-30;所述E级硬度范围为30-50;
优选的,所述A级硬度范围的胶水形态为固化不足,胶水侵犯打线区;所述B级硬度范围的胶水形态为固化不足,胶水未侵犯打线区;所述C级硬度范围的胶水形态为固化良好;所述D级硬度范围的胶水形态为固化过度,溢胶较少;所述E级硬度范围的胶水形态为固化过度,胶水芯片间有间隙;
优选的,所述邵氏硬度计压针至边缘至少12mm;
优选的,所述步骤三至步骤五在每个半固化胶水样品的不同位置重复10次;
优选的,所述半固化胶水样品包括胶水1,芯片2,基板3;所述胶水1间于芯片2和基板3之间,将芯片2的两端与基板3连接在一起。
本发明的有益效果在于,在晶元粘贴作业前测定胶水半固化程度,依照评级就能判定胶水固化存在问题,避免晶元粘贴后才能发现异常而产生大量不良品;并且,该方法能够被操作员简单掌握,实用性强,误判风险低。
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