[发明专利]一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法在审
申请号: | 201711355502.6 | 申请日: | 2017-12-16 |
公开(公告)号: | CN108054243A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 曾超;秦崇德;方结彬;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱旭科技股份有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 孔凡亮 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 太阳能电池 镀膜 不良 返工 方法 | ||
1.一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
步骤1、取镀膜不良的单晶PERC返工片,放置在装有HCl/H
步骤2、将清洗后的返工片置于装有去离子水的清洗槽一中;
步骤3、将经清洗槽一清洗过的返工片放置于装有HF/HCl混合液的槽体中,去除SiNx/AlOx膜及金属离子;
步骤4、将清洗去膜后的返工片放置于装有去离子水的清洗槽二中;
步骤5、将经清洗槽二清洗过的返工片,放置于装有HF/HNO
步骤6、将用HF/HNO
步骤7、将处理后的返工片吹干,制绒。
2.根据权利要求1所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述步骤1中,采用HCl/H
3.根据权利要求2所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述HCl/H
4.根据权利要求1所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述步骤3中,采用HF/HCl混合液在常温下清洗,时间为400s-800s。
5.根据权利要求4所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述HF/HCl混合液中HF浓度为20%-30%,HCl的浓度为5%-15%。
6.根据权利要求1所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述步骤2、步骤4中,采用去离子水于常温下清洗,时间为80s-120s,水洗过程中通常温空气鼓泡。
7.根据权利要求1所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述步骤5中,采用HF/HNO
8.根据权利要求1所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述步骤6中,采用去离子水清洗,水温控制在55℃-65℃,时间为120s-180s,通过慢提拉的方式使水与硅片表面实现分离。
9.根据权利要求1所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述步骤7中,采用温度为80℃-90℃的N
10.根据权利要求1所述的一种单晶PERC太阳能电池镀膜不良片的返工方法,其特征在于,所述步骤5中,采用HF/HNO
所述步骤7中,制绒减重控制在0.25g-0.45g。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的