[发明专利]开关元件的制造方法

权利要求书

1.一种开关元件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在第一n型半导体层向表面露出的GaN半导体基板的所述表面形成凹部；

使作为p型的GaN半导体层的体层在所述凹部内和所述GaN半导体基板的所述表面生长；

将所述体层的表层部除去，使所述第一n型半导体层向所述GaN半导体基板的所述表面露出并且使所述体层残留在所述凹部内；

在除去所述体层的所述表层部之后，在所述体层的分布区域内的一部分形成第二n型半导体层，该第二n型半导体层通过所述体层而从所述第一n型半导体层分离，并且向所述GaN半导体基板的所述表面露出；

在除去所述体层的所述表层部之后，在所述GaN半导体基板的所述表面的在所述第一n型半导体层与所述第二n型半导体层之间所述体层露出的范围内形成栅电极，该栅电极隔着绝缘膜与所述体层对向；及

在使所述体层生长之前在所述GaN半导体基板的所述表面形成阻挡层，

在所述体层的生长中，以覆盖所述阻挡层的方式使所述体层生长，

在所述体层的所述表层部的除去中，

通过所述阻挡层的研磨效率比所述体层的研磨效率低的研磨方法对所述体层进行研磨直到所述阻挡层露出为止，

对所述体层和所述阻挡层进行研磨直到所述阻挡层被除去为止。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

在所述凹部的形成中，以使所述凹部的侧面在成为所述栅电极的下部的位置处具有小倾斜部的方式形成所述凹部，该小倾斜部相对于所述GaN半导体基板的所述表面的角度为80°以上且小于90°，

在所述体层的所述表层部的除去中，对所述GaN半导体基板的所述表面进行研磨，在所述小倾斜部位于所述GaN半导体基板的所述表面的状态下停止研磨。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

在所述凹部的形成中，以使所述凹部的侧面在成为所述栅电极的下部的位置处具有大倾斜部的方式形成所述凹部，该大倾斜部以随着从所述凹部的端部沿与所述GaN半导体基板的所述表面平行的方向远离而所述凹部的深度变深的方式倾斜，并且相对于所述GaN半导体基板的所述表面的角度小于60°。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，

在所述凹部的形成中，以使所述凹部的侧面在所述小倾斜部的下侧具有大倾斜部的方式形成所述凹部，该大倾斜部以随着从所述小倾斜部的下侧沿与所述GaN半导体基板的所述表面平行的方向远离而所述凹部的深度变深的方式倾斜，并且相对于所述GaN半导体基板的所述表面的角度小于60°。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其特征在于，

在所述凹部的形成中，所述GaN半导体基板的所述表面上的所述凹部通过蚀刻来形成。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其特征在于，

在所述体层的生长中，通过外延生长来使所述体层生长。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，

在所述体层的生长中，通过外延生长来使所述体层生长。