[发明专利]包括状态电路的存储器装置及其操作方法

说明书

提供包括状态电路的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括命令解码器和状态电路。命令解码器对命令进行解码。状态电路顺序地存储基于解码的命令确定的所述存储器装置的操作信息，并响应于输出控制信号而输出顺序存储的操作信息中的至少一个。

本申请要求于2016年12月29日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0182659号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

在此公开的本发明构思的实施例涉及一种半导体存储器装置，更具体地讲，涉及一种包括状态电路的存储器装置及其操作方法。

背景技术

在制造存储器单元的工艺中，由于纳米制造工艺导致在存储器单元中可能发生错误。错误可大致分类为硬错误或软错误。硬错误可表示存储器单元硬件被损坏的情况。软错误可表示存储器单元硬件未被损坏，但存储器单元的数据由于α粒子等临时转变的情况。可通过备用存储器单元SMC或错误校正操作来校正硬错误。可通过错误校正操作来校正软错误。

除了从存储器单元的制造发生的错误之外，还可能由于电源电压的降低而发生存储器装置的操作错误或故障。当存储器单元特性由于纳米制造工艺或电源电压降低或变化而劣化时，易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(DRAM))可能需要过多的刷新操作以保留存储在其中的数据。为了应对高性能趋势，还使存储器装置以更高速度执行例如写入操作、读取操作等。

在刷新操作、读取操作和写入操作被执行的上述情况下，由于电流消耗暂时增加，因此在存储器装置内可能无法平滑地供应电压。因此，存储器装置中可能出现问题(诸如，时序裕量(timing margin)的减少和电源电压的不稳定)。结果，可能发生存储器装置的操作故障。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种包括当发生存储器装置的操作故障时存储操作信息的状态电路的存储器装置及其操作方法。

根据本发明构思的实施例的一方面，一种存储器装置包括命令解码器和状态电路。命令解码器对命令进行解码。状态电路顺序地存储基于解码的命令确定的所述存储器装置的操作信息，并响应于输出控制信号而输出顺序存储的操作信息中的至少一个。状态电路可被配置为响应于从命令解码器接收到更新控制信号而更新操作信息并存储更新的操作信息。

根据本发明构思的实施例，一种存储器装置的操作方法包括：在包括在所述存储器装置中的状态电路顺序地存储基于命令确定的所述存储器装置的操作信息；在所述状态电路接收输出控制信号；响应于输出控制信号，在所述状态电路将顺序存储的多个操作信息提供给主机。

根据本发明构思的实施例，一种存储器装置的操作方法包括：在主机检测所述存储器装置的操作故障并生成更新控制信号；响应于更新控制信号，在包括在所述存储器装置中的状态电路存储基于来自主机的命令确定的所述存储器装置的操作信息；响应于来自主机的输出控制信号，在所述状态电路将存储的操作信息提供给主机。

根据本发明构思的实施例，一种存储器装置包括：逻辑电路，设置在基底上；至少第一存储器电路和第二存储器电路，垂直堆叠在逻辑电路上，其中，第一存储器电路和第二存储器电路分别具有第一输入/输出(i/o)接口和第二i/o接口；状态电路，被配置为分别经由第一i/o接口和第二i/o接口与第一存储器电路和第二存储器电路通信，并且状态电路被配置为与主机通信；其中，状态电路响应于接收到更新控制信号而从至少第一存储器电路和第二存储器电路中的每一个接收操作状态信息并存储操作状态信息，其中，状态电路响应于接收到单个输出控制信号而提供存储的至少第一存储器电路和第二存储器电路的操作状态信息。

状态电路可响应于从主机提供更新控制信号而周期性地更新存储的至少第一存储器电路和第二存储器电路的操作状态信息。

第一存储器电路和第二存储器电路通过硅通孔(TSV)彼此连接。

状态电路可被另外地配置为使用TSV与至少第一存储器电路和第二存储器电路通信。