[发明专利]整流器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种整流器装置，包括：

阳极端子和阴极端子，所述阳极端子和所述阴极端子通过第一MOS晶体管的负载电流路径以及并联连接至所述负载电流路径的二极管来连接；在所述阳极端子与所述阴极端子之间可操作地施加交流输入电压；以及

控制电路，包括：

控制逻辑，所述控制逻辑被配置成:

使所述第一MOS晶体管在导通时间段内导通，在所述导通时间段期间所述二极管被正向偏置，

通过检测所述二极管两端的电压已经达到限定的第一阈值电压的第一时刻，来检测所述导通时间段的开始，

通过检测在所述第一MOS晶体管的负载电流路径两端的电压降已经达到限定的第二阈值电压的第二时刻，来检测所述导通时间段的结束，和

在限定的掩蔽时间段内掩蔽掉对所述第二时刻的任何检测；以及

安全电路，所述安全电路被配置成在所述交流输入电压达到安全阈值时触发所述第一MOS晶体管的关断。

2.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述阳极端子处的电势用作所述控制逻辑的参考电势。

3.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述阳极端子处的电势用作所述控制逻辑和所述安全电路的参考电势，并且

其中，所述安全阈值表示相对于所述参考电势为正的电压电平。

4.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述安全阈值是可编程的。

5.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述控制逻辑被配置成通过检测所述二极管已经变得导通来检测所述导通时间段的开始。

6.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述阳极端子处的电势用作所述控制逻辑的参考电势，并且

其中，所述控制逻辑被配置成在所述交流输入电压下降至所述第一阈值电压以下时检测所述导通时间段的开始，所述第一阈值电压相对于所述参考电势为负。

7.根据权利要求1所述的整流器装置，其中，所述第二阈值电压比所述第一阈值电压更接近零。

8.根据权利要求1所述的整流器装置，

其中，所述阳极端子处的电势用作所述控制逻辑的参考电势，

其中，所述控制逻辑被配置成：

在所述交流输入电压下降至相对于所述参考电势为负的所述第一阈值电压以下时检测所述导通时间段的开始；并且

在所述交流输入电压达到相对于所述参考电势也为负的第二阈值电压时检测所述导通时间段的结束。

9.根据权利要求1所述的整流器装置，还包括：

至少第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管具有并联连接至所述第一MOS晶体管的负载电流路径的负载电流路径。

10.根据权利要求9所述的整流器装置，

其中，所述控制逻辑被配置成使所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管相继导通或同时导通。

11.根据权利要求9所述的整流器装置，

其中，所述控制逻辑被配置成使所述第二MOS晶体管比所述第一MOS晶体管更迟地关断。

12.根据权利要求11所述的整流器装置，

其中，所述控制逻辑被配置成通过检测所述阴极端子与所述阳极端子之间的电压已经达到限定的第二阈值电压来检测所述导通时间段的结束，并且

其中，在所述第一MOS晶体管已经被关断之后，在检测到所述阴极端子与所述阳极端子之间的电压已经达到限定的第三阈值电压时所述第二MOS晶体管被关断。

13.根据权利要求12所述的整流器装置，

其中，所述第三阈值电压比所述第二阈值电压更接近零。