[发明专利]显示装置

说明书

提供了一种显示装置。所述显示装置包括薄膜晶体管、栅极绝缘层、层间绝缘层、数据线、间隔件和像素电极。薄膜晶体管包括半导体层和栅电极。半导体层包括位于沟道区的相应侧上的源区和漏区。栅极绝缘层位于半导体层与栅电极之间。层间绝缘层覆盖薄膜晶体管。数据线经由穿过栅极绝缘层和层间绝缘层的孔来接触半导体层。间隔件位于孔的内壁上并且接触数据线。像素电极电连接到薄膜晶体管。

于2016年12月14日提交且名称为“显示装置(Display Device)”的第10-2016-0170411号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及一种显示装置。

背景技术

显示装置基于从多个像素发射的光来产生图像。每个像素通过一个或更多个薄膜晶体管(TFT)、存储电容器以及加载在各种布线上的信号来控制。试图提供高质量图像，用于控制每个像素的TFT的数量这些年来已经增加。

发明内容

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底；薄膜晶体管，位于基底上并且包括半导体层和栅电极，半导体层包括位于沟道区的相应侧上的源区和漏区；栅极绝缘层，位于半导体层与栅电极之间；层间绝缘层，覆盖薄膜晶体管；数据线，经由穿过栅极绝缘层和层间绝缘层的孔来接触半导体层；间隔件，位于孔的内壁上并且接触数据线；以及像素电极，电连接到薄膜晶体管。

数据线的下表面可直接接触源区和漏区中的一个，数据线的面对孔的内壁的表面可直接接触间隔件。半导体层可包括与第二区相邻的第一区，其中，第一区接触数据线，其中，第一区具有比第二区小的厚度。第二区可与栅极绝缘层和层间绝缘层叠置。第一区和第二区可用相同的杂质掺杂。

半导体层可包括位于第一区与第二区之间并且接触间隔件的第三区。第三区的厚度可小于第二区的厚度。第一区可具有等于或小于第三区的厚度。第一区可与第三区形成阶梯，第一区与第三区之间的连接部可具有向前渐缩的斜面。

间隔件可包括面对孔的内壁的第一侧表面以及面对源区和漏区中的一个的下表面，其中，第一侧表面直接接触层间绝缘层、栅极绝缘层和半导体层，其中，下表面直接接触源区和漏区中的一个。

薄膜晶体管可包括：驱动薄膜晶体管，包括驱动半导体层和驱动栅电极，驱动半导体层包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区，驱动栅电极与驱动沟道区叠置；以及开关薄膜晶体管，位于基底上方并且包括开关半导体层和开关栅电极，开关半导体层包括开关沟道区、开关源区和开关漏区，开关栅电极与开关沟道区叠置，数据线与开关源区和开关漏区中的一个接触。

显示装置可包括：第二栅极绝缘层，位于栅极绝缘层与层间绝缘层之间；以及第一存储电容器板，面对第二存储电容器板并且使第二栅极绝缘层介于它们之间，间隔件直接接触层间绝缘层、第二栅极绝缘层、栅极绝缘层和半导体层。

间隔件可延伸至层间绝缘层的上表面。间隔件可直接接触层间绝缘层的上表面的至少一部分。间隔件可包括绝缘材料。绝缘材料可包括SiO_x、SiN_x、SiON和SiOC中的至少一种。间隔件可包括金属。间隔件可包括与数据线相同的金属材料。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得明显，在附图中：

图1示出显示装置的实施例；

图2示出像素的实施例；

图3示出像素的布局实施例；

图4示出沿图3中的剖面线IVa-IVa和IVb-IVb的视图；

图5A和图5B示出图4中的部分V的实施例；

图6示出图5A和图5B的从方向K观察的平面图；

图7A至图7H示出用于制造显示装置的方法的实施例的阶段；