[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

薄膜晶体管，位于所述基底上并且包括半导体层和栅电极，所述半导体层包括位于沟道区的相应侧上的源区和漏区；

栅极绝缘层，位于所述半导体层与所述栅电极之间；

层间绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；

数据线，经由穿过所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的孔来接触所述半导体层；

间隔件，位于所述孔的内壁上并且接触所述数据线；以及

像素电极，电连接到所述薄膜晶体管，

其中，所述半导体层包括第一区、第二区和第三区，所述第三区在所述第一区和所述第二区之间，

所述第一区接触所述数据线并具有比所述第二区的厚度和所述第三区的厚度小的厚度，

所述第三区接触所述间隔件，

所述第一区与所述第三区形成阶梯，并且

所述第一区与所述第三区之间的连接部具有向前渐缩的斜面。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中：

所述数据线的下表面直接接触所述源区和所述漏区中的一个，

所述数据线的面对所述孔的所述内壁的表面直接接触所述间隔件。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二区与所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层叠置。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区和所述第二区用相同的杂质掺杂。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三区的厚度比所述第二区的厚度小。

6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述间隔件包括：

第一侧表面，面对所述孔的所述内壁；以及

下表面，面对所述源区和所述漏区中的一个，其中，所述第一侧表面直接接触所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层和所述半导体层，其中，所述下表面直接接触所述源区和所述漏区中的一个。

7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：

驱动薄膜晶体管，包括驱动半导体层和驱动栅电极，所述驱动半导体层包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区，所述驱动栅电极与所述驱动沟道区叠置；以及

开关薄膜晶体管，位于所述基底上方并且包括开关半导体层和开关栅电极，所述开关半导体层包括开关沟道区、开关源区和开关漏区，所述开关栅电极与所述开关沟道区叠置，所述数据线与所述开关源区和所述开关漏区中的一个接触。

8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述间隔件包括金属。

9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述间隔件包括与所述数据线相同的金属材料。

10.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第二栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层与所述层间绝缘层之间；以及

第一存储电容器板，面对第二存储电容器板并且使所述第二栅极绝缘层介于它们之间，所述间隔件直接接触所述层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述栅极绝缘层和所述半导体层。

11.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述间隔件延伸至所述层间绝缘层的上表面。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述间隔件直接接触所述层间绝缘层的所述上表面的至少一部分。

13.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述间隔件包括绝缘材料。

14.如权利要求13所述的显示装置，其中，所述绝缘材料包括SiO_x、SiN_x、SiON和SiOC中的至少一种。