[发明专利]闪光灯照明方法和可通过这种方式获得的有机电子器件元件

权利要求书

1.一种用于制备有机电子器件的方法，所述用于制备有机电子器件的方法包括下述步骤：

a)提供适用于制备有机电子器件的分层结构，所述分层结构包含：

aa)包含第一电极结构和非电极部分的衬底；

bb)由格栅材料形成的格栅，其中所述格栅的空白区布置在至少一部分所述第一电极结构之上，并且所述格栅材料布置在至少一部分所述非电极部分之上；和

cc)包含至少一个氧化还原掺杂层的层堆叠物，所述氧化还原掺杂层的电导率为至少1E-7S/cm，所述层堆叠物被沉积在所述格栅上；

其中通过吸收光谱法测量的所述格栅材料的光密度高于所述空白区的光密度并且通过吸收光谱法测量的所述格栅材料的光密度高于所述第一电极结构的光密度；以及

b)将光脉冲照射在所述分层结构上，所述光脉冲具有10ms的持续时间和每脉冲0.1至20J/cm²的能量。

2.如权利要求1所述的用于制备有机电子器件的方法，其中所述层堆叠物还包含发射层。

3.如权利要求1所述的用于制备有机电子器件的方法，其中所述格栅材料包含光刻胶。

4.如权利要求1所述的用于制备有机电子器件的方法，其中所述分层结构还包含布置在所述层堆叠物顶部上的第二电极。

5.如权利要求4所述的用于制备有机电子器件的方法，其中所述分层结构还包含布置在所述第二电极顶部上的阻挡层。

6.如权利要求1所述的用于制备有机电子器件的方法，其中照射使用闪光灯来进行，所述闪光灯是氙或LED或激光光源。

7.如权利要求1所述的用于制备有机电子器件的方法，其中所述层堆叠物的总厚度大于10nm并小于5000nm，和/或所述格栅的厚度大于所述至少一个氧化还原掺杂层的厚度。

8.如权利要求1所述的用于制备有机电子器件的方法，其中：

i.所述至少一个氧化还原掺杂层由氧化还原掺杂剂构成；或

ii.所述至少一个氧化还原掺杂层包含氧化还原掺杂剂和基质材料，所述基质材料是电荷传输材料；或

iii.所述至少一个氧化还原掺杂层是由第一层和第二层构成的双层，所述第一层由注入材料构成，所述第二层由被氧化还原掺杂或未掺杂的电荷传输材料构成。

9.如权利要求8所述的用于制备有机电子器件的方法，其中所述氧化还原掺杂剂是：

1.p-型掺杂剂，其选自

1.1.分子量为350至1700的有机或金属有机分子掺杂剂，其选自二丙二腈化合物、芳香族和/或杂芳族腈化合物、富勒烯衍生物或式1的轴烯衍生物，其中Ar₁-Ar₃是相同或不同的，并独立地选自芳基或杂芳基；

或

1.2.过渡金属氧化物，其选自MoO₃和V₂O₅；或

1.3.路易斯酸，其是(三氟甲磺酰基)酰亚胺化合物，并且选自元素周期表的1至12族的金属的双(三氟甲磺酰基)酰亚胺，其中所述1至12族的金属选自Li、Mg、Ba、Sc、Mn、Cu、Ag或其混合物；

或

2.n-型掺杂剂，其选自

2.1.分子量为300至1500的有机或金属有机分子掺杂剂，或

2.2.金属掺杂剂，其选自分子量为25至500的金属卤化物、分子量为150至1500的金属络合物以及选自碱金属、碱土金属和稀土金属的零价金属。