[发明专利]掩膜版、曝光装置及曝光方法在审
申请号: | 201711309955.5 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN107844025A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 闫春龙;甄龙;李强;王德龙;李泽成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 曝光 装置 方法 | ||
技术领域
本发明属于曝光技术领域,具体涉及一种掩膜版、曝光装置及曝光方法。
背景技术
在用渐进式曝光机制备彩色滤光膜(彩膜)时,需要在掩膜版上专门设计空白区域1,用以通过计测光进行计测以及对位,而在对基板进行曝光时,需要对该空白区域1进行遮挡,以免对彩膜的形成产生影响。
如图1和图2所示,现有技术中,通常用遮光片2对空白区域1进行遮挡,由于遮光片2边缘会存在±3mm的灰区21,故如图2所示,在遮光片2覆盖区域以及灰区21都无法设计图案。而基板上无图案区域33不能用于显示,且在对盒时无图案区域33和其周边区域液晶分布不均,易造成显示发黄等问题。
为改善此问题,现有技术中会在设计冗余图案,利用冗余图案将无图案区域33和有图案区域隔开,即让无图案区域33与实际用于显示的区域隔开一定距离,避免对显示造成影响,具体设计方法一般为以下两种:一种为在无图案区域33之外设计冗余图案,但是此方法会牺牲基板的利用率;另一种为,在灰区21范围内设计冗余图案,但是由于灰区21曝光效果不好,会在彩膜制造阶段造成图案虚化、脱落等现象。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种可简化曝光工艺,提高基板利用率的掩膜版。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种用于曝光的掩膜版,包括:
遮光区,其不允许光线通过;
第一透光区,其允许第一波段的光通过,而过滤第二波段的光;
第二透光区,其允许第二波段的光通过,所述第二波段的光为用于曝光的光。
优选的,所述第一波段的光具体为波长大于800纳米的光。
进一步优选的,所述第二波段的光具体为波长小于400纳米的光。
优选的,所述第一透光区包括:
用于对位的对位区;
和/或,
用于进行计测的计测区。
优选的,所述掩膜版包括透光的基层;
所述第一透光区处的基层上设置有光过滤膜层,所述光过滤膜层允许第一波段的光通过,而过滤第二波段的光。
进一步优选的,所述光过滤膜层包括宽带分光膜。
解决本发明技术问题所采用的另一技术方案是一种曝光装置,包括上述任意一种掩膜版。
解决本发明技术问题所采用的另一技术方案是一种曝光方法,包括:
将上述任意一种掩膜版设于基板与光源之间;
使光源发出第一波段的光,对基板进行第一工艺;
使光源发出第二波段的光,对基板进行曝光,所述第一波段的光与所述第二波段的光为不同波段的光。
优选的,所述曝光方法用于形成彩色滤光膜。
优选的,所述基板包括多个间隔设置的曝光区,以及相邻曝光区之间的间隔区;
所述掩膜版用于依次对基板的每个曝光区进行曝光,在每次曝光中,掩膜版的第二透光区对应基板的一个曝光区,掩膜版的第一透光区对应基板的间隔区。
利用本发明提供的掩膜版进行彩膜曝光工艺时,无需在掩膜版的第一透光区的上方设置遮光片,故可减小曝光机的动作流程,简化曝光工艺,从而提高生产效率。同时,由于第一透光区可直接滤掉第二波段的光,故相对于现有技术中通过遮光片进行遮挡,本发明中不存在灰区,从而可以减小基板上的无图案区域的面积,进而可提高基板的利用率,并可有效减缓在基板对盒时液晶分布不均(例如显示发黄)的问题。
附图说明
图1为利用现有技术中的用遮光片遮挡空白区域时的示意图;
图2为利用现有技术中的掩膜版进行曝光时基板各区域的位置示意图;
图3为本发明的实施例的掩膜版的结构示意图;
图4为利用本发明的实施例的掩膜版进行曝光时基板各区域的位置示意图;
其中附图标记为:1、空白区域;2、遮光片;21、灰区;31、曝光区;32、间隔区;33、无图案区域;4、第一透光区;41、对位区;42、计测区;5、第二透光区;6、遮光区。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1:
如图2至图4所示,本实施例提供一种应用于曝光工艺中的掩膜版,其可用于在基板上制备彩色滤光膜(彩膜)或者隔垫物(PS)等。本实施例中,以利用掩膜版制备彩膜为例进行说明。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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