[发明专利]辅助变流电路、辅助变流器和辅助变流柜在审

专利信息
申请号: 201711307265.6 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN109905017A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 唐子辉;蒋学君;孙晓丽;王雷;陈宏;刘革莉;杨春宇;刘立刚 申请(专利权)人: 中车永济电机有限公司
主分类号: H02M1/12 分类号: H02M1/12;H02M1/00;H02M5/458
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘丹;黄健
地址: 044502 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 辅助变流器 逆变器 整流器 滤波器 三相电容器 变流电路 交流电源 三相交流电压 辅助变流柜 三相电抗器 直流电压 输出电压检测装置 单相交流电压 逆变器输出 整流器输出 高频谐波 轻量化 输出 转化
【权利要求书】:

1.一种辅助变流电路,其特征在于,包括:交流电源、整流器、逆变器、滤波器,所述滤波器包括:三相电抗器和三相电容器;其中,

所述整流器与所述交流电源连接,所述整流器用于将所述交流电源输出的单相交流电压转化为直流电压;

所述逆变器与所述整流器连接,所述逆变器用于将所述整流器输出的直流电压逆变为三相交流电压;

所述三相电抗器分别与所述逆变器和所述三相电容器连接,所述三相电容器用于与输出电压检测装置连接;

所述滤波器用于滤去所述逆变器输出的三相交流电压中的高频谐波。

2.根据权利要求1所述的辅助变流电路,其特征在于,所述整流器包括:第一可控硅、第二可控硅、第一二极管和第二二极管,其中,

所述第一可控硅的阴极与所述第一二极管的阴极连接,所述第一可控硅的阳极分别与所述交流电源的第一端、所述第二可控硅的阴极连接;所述第二可控硅的阴极还分别与所述交流电源的第二端、所述第二二极管的阴极连接,所述第二可控硅的阳极与所述第二二极管的阳极连接;

所述第一二极管的阴极与所述逆变器的第一端连接,所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极连接;所述第二二极管的阳极与所述逆变器的第二端连接;

所述第一可控硅的门极和所述第二可控硅的门极分别用于与控制器连接。

3.根据权利要求2所述的辅助变流电路,其特征在于,所述逆变器包括:预处理单元和逆变单元,其中,

所述预处理单元分别与所述整流器和所述逆变单元连接,所述逆变单元与所述三相电抗器连接;

所述预处理单元用于将所述整流器输出的直流电压进行预处理,所述逆变单元用于将预处理后的直流电压逆变为三相交流电压。

4.根据权利要求3所述的辅助变流电路,其特征在于,所述逆变单元包括:第一晶闸管、第二晶闸管、第三晶闸管、第四晶闸管、第五晶闸管和第六晶闸管,其中,

所述第一晶闸管的集电极分别与所述第一二极管的阴极、所述第三晶闸管的集电极连接,所述第一晶闸管的发射极分别与所述三相交流电压中的第一相线、所述第二晶闸管的集电极连接;所述第二晶闸管的发射极分别与所述第二二极管的阳极、所述第四晶闸管的发射极连接;

所述第三晶闸管的集电极还与所述第五晶闸管的集电极连接,所述第三晶闸管的发射极分别与所述三相交流电压中的第二相线、所述第四晶闸管的集电极连接;所述第四晶闸管的发射极还与所述第六晶闸管的发射极连接;

所述第五晶闸管的发射极分别与所述三相交流电压中的第三相线、所述第六晶闸管的集电极连接;

所述第一晶闸管的门极、所述第二晶闸管的门极、所述第三晶闸管的门极、所述第四晶闸管的门极、所述第五晶闸管的门极和所述第六晶闸管的门极分别用于与所述控制器连接。

5.根据权利要求1所述的辅助变流电路,其特征在于,所述三相电抗器的电感值为1mH。

6.根据权利要求1所述的辅助变流电路,其特征在于,所述三相电容器的三相绕组首尾连接,呈三角形结构。

7.根据权利要求1所述的辅助变流电路,其特征在于,还包括接地检测装置,所述整流器通过所述接地检测装置与所述逆变器连接,所述接地检测装置用于对所述辅助变流电路进行接地检测。

8.一种辅助变流器,其特征在于,包括:控制器、两个输出电压检测装置以及两个如权利要求1-7任一项所述的辅助变流电路,其中,

两个所述辅助变流电路分别与所述控制器连接;

每个所述辅助变流电路分别与各自对应的所述输出电压检测装置连接。

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