[发明专利]一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构

权利要求书

1.一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其主要结构包括基本的带隙电路结构(104)，一阶补偿带隙电路(100)，高阶补偿带隙电路(102)，改进电路精度大小的电路(101)，运算放大器电路(103)，其中：

基本的带隙电路结构(104)：产生一个正常工作的基准电压；此条件用于接收一阶补偿电路，传输利用改变的电压值所产生的正温度系数电压，得到具有正温度系数的补偿电流；利用器件本身所具有负温度系数的补偿电流，输出两个相加的值对产生的带隙电流进行温度补偿，利用精度改进电路，得到一个一阶温度补偿的高精度的带隙电流，发送给高阶补偿带隙电路模块，之后得到一个高精度的高阶曲率补偿的带隙基准电流；

运算放大器电路(103)：使得电路的输入两端获得近似相等的电压；

一阶补偿带隙电路(100)：产生一个具有温度补偿的低精度的带隙基准电流源，传输给改进电路精度大小的电路；

高精度一阶补偿带隙电路：产生一个具有温度补偿的高精度的带隙基准电流源，传输给改进高阶补偿带隙电路；

高精度高阶补偿带隙电路：产生一个具有高阶温度补偿的高精度的带隙基准电流源。

2.根据权利要求1所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于改进了运算放大器所产生的失调电压对电路的影响。

3.根据权利要求1所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于使用了电流模基准，可自由控制输出大小不需要缓冲器。

4.根据权利要求1所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于使用了高阶曲率补偿，忽略了V_BE的高阶项对带隙电路的影响。

5.根据权利要求1~4之一所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于所述的一阶补偿带隙电路(100)包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、电阻R1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R10、BJT管M19、BJT管M20；

PMOS管M1源极接电源，栅极与PMOS管M2、M5栅极相连，漏极与电阻R10一端相连，M2源极与电源相连，漏极与电阻R8一端相连，PMOS管M5源极与电源相连，漏极与电阻R6一端相连，电阻R1一端与R7另一端相连，另一端与地相连，电阻R5一端与R8另一端相连，另一端与地相连，电阻R6另一端与地相连，电阻R10另一端与电阻R7相连，BJT管M19基极与地相连，集电极与地相连，发射极与R7另一端相连，BJT管M20基极与地相连，集电极与地相连，发射极与R8另一端相连。

6.根据权利要求1~4之一所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于所述的高阶补偿带隙电路(102)包括PMOS管M4、BJT管M21、电阻R3、电阻R4；

其中PMOS管M4源极接电源，栅极与PMOS管M1栅极相连，漏极与BJT管M21发射极相连，BJT管M21基极与地相连，集电极与地相连，电阻R3一端与PMOS管M12栅极相连，电阻R4一端与PMOS管M13栅极相连。

7.根据权利要求1~4之一所述的一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于所述的改进电路精度大小的电路(101)包括PMOS管M3；

其中PMOS管M3源极接电源，栅极与M1栅极相连，漏极与BJT管M20发射极相连。

8.根据权利要求1~4之一所述的一种高精度的高阶的曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，其特征在于所述的运算放大器的电路(103)包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M11、PMOS管M16、PMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M14、NMOS管M15、NMOS管M18、PMOS管M22、PMOS管M23、电容C1、电阻R2；

其中PMOS管M5源极与地相连，栅极与PMOS管M6、M11、M16相连，漏极与NMOS管M7漏极相连，PMOS管M6源极与地相连，漏极与NMOS管M8漏极相连，PMOS管M11源极与地相连，漏极与PMOS管M12、M13源极相连，PMOS管M16源极与地相连，漏极与NMOS管M18漏极相连，PMOS管M12栅极与电阻R3一端相连，漏极与NMOS管M22漏极相连，PMOS管M13栅极与电阻R4一端相连，漏极与NMOS管M23漏极相连，NMOS管M7栅极与NMOS管M8栅极相连，源极与NMOS管M9的漏极相连，NMOS管M8，源极与NMOS管M10的漏极相连，NMOS管M9栅极与NMOS管M10的栅极相连，源极与电阻R2的一端相连，NMOS管M10的源极与地相连，NMOS管M14栅极与NMOS管M15的栅极相连，源极与地相连，NMOS管M15的源极与地相连，NMOS管M18的栅极与NMOS管M15的源极相连，源极与地相连，PMOS管M22漏极与NMOS管M14栅极相连，栅极与M9、M23栅极相连，PMOS管M23漏极与NMOS管M15栅极相连，电容C1的另一端与NMOS管M16的漏极相连，电阻R2的另一端与地相连。