[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711306007.6 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108231377B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 石田卓也;间木祥文;平井真哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01F27/29 | 分类号： | H01F27/29;H01F27/24;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷电子部件，其特征在于，具备：
含有金属氧化物的陶瓷坯体，
所述陶瓷坯体为含有Cu的铁氧体，
形成于所述陶瓷坯体的表层部的一部分的、使所述金属氧化物熔融、凝固而成的重整层，以及
形成于所述重整层上的由镀覆金属构成的电极，
在所述重整层所述Cu偏析成条状或网状。
2.一种陶瓷电子部件，其特征在于，具备：
含有金属氧化物的陶瓷坯体，
所述陶瓷坯体为含有Cu的铁氧体，
形成于所述陶瓷坯体的表层部的一部分的、使所述金属氧化物熔融、凝固而成的重整层，以及
形成于所述重整层上的由镀覆金属构成的电极，
其中，在所述重整层中Cu偏析在上层部。
3.根据权利要求2所述的陶瓷电子部件，其中，在所述重整层中，上层部具有Cu的偏析层，下层部具有Cu没有偏析的未偏析层。
4.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，所述陶瓷坯体为含有Cu、Zn、Ni的铁氧体，
在所述重整层中避开所述Cu的偏析地存在Zn、Ni。
5.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，所述重整层的厚度为1μm以上。
6.一种陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，具备：
准备含有金属氧化物的陶瓷坯体的工序，
在所述陶瓷坯体的表层部的一部分使所述金属氧化物熔融、凝固而形成重整层的工序，所述重整层中偏析有构成所述金属氧化物的金属元素的至少一种，以及
通过镀覆处理在所述重整层上形成电极的工序，
其中，所述陶瓷坯体为含有Cu的铁氧体，
在所述重整层所述Cu偏析成条状或网状。
7.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件的制造方法，其中，形成所述重整层的工序是通过利用激光照射、电子束照射或聚焦炉的局部加热而进行的。
8.根据权利要求6或7所述的陶瓷电子部件的制造方法，其中，所述镀覆处理是通过电镀法而进行的。
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