[发明专利]一种硅棒切割方法有效
| 申请号： | 201711285670.2 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108032451B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 熊震;王君林;李飞龙;朱军;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
1.一种硅棒切割方法，其特征在于，硅棒经过表面氧化处理后具备氧化膜，对具有氧化膜的所述硅棒进行切片；
所述硅棒进行表面氧化处理前进行表面粗糙度分选，表面粗糙度小于指定粗糙度的硅棒进行表面氧化处理。
2.如权利要求1所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述硅棒在强氧化性溶液或强氧化性气体内氧化。
3.如权利要求2所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述强氧化性溶液为双氧水或硝酸；所述强氧化性气体为臭氧。
4.如权利要求3所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述双氧水的浓度为1-5％，所述硝酸的浓度为10-15％。
5.如权利要求3所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述臭氧的浓度为1.2-1.5mg/L。
6.如权利要求2所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述硅棒在强氧化性溶液内的氧化时间为0.5min-30min，氧化温度为10℃-80℃。
7.如权利要求2所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述硅棒在强氧化性气体内的氧化时间为10min-60min，氧化温度为10℃-200℃。
8.如权利要求1所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述硅棒在空气或氧气内高温氧化，其中，氧化温度为600℃-1400℃。
9.如权利要求1-8中任一项所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述硅棒进行表面粗糙度分选时，大于指定粗糙度的硅棒经过研磨处理后再次进行表面粗糙度分选。
10.如权利要求9所述的硅棒切割方法，其特征在于，所述指定粗糙度为0.05μm。
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