[发明专利]一种用于解决硅片吸笔的吸笔印方法在审
申请号: | 201711274225.6 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN108133908A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 徐炳飞 | 申请(专利权)人: | 中建材浚鑫科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 姚姣阳 |
地址: | 214443 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸盘 吸笔 硅片吸笔 柔性材质 外端 聚氯乙稀 包覆 气体通道管 防静电膜 生产过程 使用性能 电池片 电性能 泄压孔 工段 防污 膜层 贴膜 吸孔 生产成本 连通 指纹 合格率 外部 | ||
本发明揭示了一种用于解决硅片吸笔的吸笔印方法,该硅片吸笔包括吸盘和具有连通其外部与内部泄压孔的气体通道管,吸盘上设置有吸孔,所述方法包括以下步骤:在吸盘的外端面上设置有至少一层柔性材质;柔性材质为聚氯乙稀,聚氯乙稀包覆于所述吸盘的外端面上;柔性材质为具有防污、防指纹、防静电膜层,膜层包覆于所述吸盘的外端面上。本技术方案明显提高了吸笔的使用性能,改善电池片的电性能及外观,及提高自身在环境中的耐用时间,并且贴膜容易更换,并免于直接更换支吸笔,直接提高了经济效益,适合在产业上推广使用。该方法成本低,解决了PE生产过程中造成的吸笔印问题,大大地提高了PECVD工段的合格率,大大地降低了生产成本。
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域,更具体地说,涉及一种用于解决硅片吸笔的吸笔印方法。
背景技术
太阳能光伏电池是一种将太阳能转换为电能的半导体器件,其原理为光生伏打原理。在生产太阳能光伏电池的过程中,为了降低光线在硅片表面的反射,需要在晶硅表面利用PECVD技术沉积一层氮化硅减反射膜,以提高晶硅太阳能电池对光线的吸收从而达到提高太阳能电池的光电转换效率,同时沉积在硅片表面的氮化硅膜对晶硅太阳能电池也起到表面钝化和保护作用。因此,PECVD 镀膜是晶硅太阳能电池片生产过程中极为重要的一道工序。
太阳电池行业PECVD工艺过程中,经常因为吸笔问题而使片子在PECVD之后产生严重的吸笔印,严重影响电池片的外观。在晶硅太阳能电池片PECVD镀膜过程中,硅片是放在石墨舟当中放入PECVD管中进行镀膜。具体步骤为:1、用真空吸笔利用真空将硅片从花篮中抽出并插入石墨舟中;2、将装满硅片的石墨舟送入400℃高温PECVD管进行镀膜工艺;3、用真空吸笔将做完镀膜工艺的硅片从石墨舟中取出放入承载盒。太阳能电池行业PECVD工艺过程中,必须把片子从普通片夹或者花篮转移到石墨舟内,才能够进行相关工艺。现在一些厂家使用与PECVD设备相配套的自动上下片机,但是设备成本相当昂贵,所以大多厂家仍以手动装卸片为主,而手动装卸片必须用专业的吸笔将片子吸起再放进或取处石墨舟。现在通常使用的吸笔笔头都是由硬橡胶制成,吸片效果很好,但最大缺点是当吸笔使用一段时间之后笔头就会被严重磨损,这样一方面片子上会有杂质残留,影响电池的正常工艺,另一方面PECVD之后的片子会因为吸笔磨损而产生白色划痕,严重影响片子的外观。
由于传统吸笔笔头耐磨损能力弱,使用一段时间后吸笔笔头就变得很粗糙。然而电池片表面绒面非常小,极易破损,所以粗糙的笔头会对绒面造成非常大的伤害,会使得电池片产生很大漏电,并严重影响电池片外观,而且磨损的吸笔笔头会有颗粒状杂质产生,这种杂质附着在电池片表面也会影响后续工艺和电性能。
现行行业中吸笔印问题时常发生,但是没有得到足够重视,对于吸笔的使用也非常单一和被动,而实际上吸笔印会严重影响电池片的外观,会使电池片等级下降,严重影响经济效益。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提供一种用于解决硅片吸笔的吸笔印方法,该方法可以彻底地解决吸笔印问题,从而极大地优化了电池片的外观,也能够一定程度上提高电池片的电性能。
本发明的目的将通过以下技术方案得以实现:一种用于解决硅片吸笔的吸笔印方法,所述硅片吸笔包括吸盘和具有连通其外部与内部泄压孔的气体通道管,所述吸盘上设置有吸孔,所述方法包括以下步骤:在吸盘的外端面上设置有至少一层柔性材质。
优选地,所述柔性材质为聚氯乙稀,所述聚氯乙稀包覆于所述吸盘的外端面上。
优选地,所述柔性材质为具有防污、防指纹、防静电膜层,所述膜层包覆于所述吸盘的外端面上。
优选地,所述膜层厚度为0.5μm~2μm。
优选地,在所述吸盘的外侧还套设有用于可更换的防污软胶套。
优选地,所述防污软胶套的厚度为0.2mm~0.5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造