[发明专利]一种温度检测电路及一种温度检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种温度检测电路及一种温度检测方法。

背景技术

随着半导体技术不断发展，目前半导体器件的尺寸越来越小。随着芯片上晶体管密度的提高，芯片功耗随之加大。但是功耗变大后带来以下问题。

芯片的温度过热，从而造成更多的不良影响：1)芯片工作速度变慢。2)芯片热稳定性，严重甚至会导致芯片烧毁。

本申请基于以上的问题，提供了解决技术问题的技术方案。

发明内容

本发明的提供了一种温度检测电路及一种温度检测方法，其目的通过在带隙基准电路上增加一条支路，获得温度的模拟信号，实现温度信息的检测，从而减小芯片结构的面积。

本发明提供的技术方案如下：

一种温度检测电路，包括：电压生成电路，ADC正负基准电压电路，ADC电路以及译码器；所述电压生成电路，用于生成预设带隙基准电压以及待检测电压；所述ADC正负基准电路，用于将带隙基准电压转换为ADC的正基准和负基准电压；所述ADC电路，用于将所述电压生成电路中生成的待检测电压，进行模数转换处理后生成数字信号；所述译码器，用于将所述ADC电路生成的所述数字信号进行译码，显示当前待测芯片的温度信息。

优选的，所述电压生成电路：包括：8个MOS管，MOS管M1～MOS管M8；3个三极管，分别为：三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3；所述MOS管M1～MOS管M4的栅极端依次串联；所述MOS管M1～MOS管M4的源极端并列连接在电源供电端；所述MOS管M1～MOS管M4的漏极端依次与所述MOS管M5～MOS管M8的源极端对应电连接；所述MOS管M5～MOS管M8的栅极端依次串联；所述MOS管M5的漏极端分别与所述三极管Q1的集电极端、所述三极管Q1的基极端、所述三极管Q2的基极端电连接；所述三极管Q1的发射极端连接公共地端；所述三极管Q2的集电极端与所述MOS管M6的漏极端电连接；所述三极管Q2的发射极端通过第一电阻R1连接所述公共地端；所述MOS管M7的漏极端通过第二电阻R2与所述三极管Q3的集电极端和基极端电连接，输出所述预设带隙基准电压；所述三极管Q3的发射极端连接所述公共地端；所述MOS管M8的漏极端通过第三电阻R3连接所述公共地端，输出所述待检测电压。

优选的，正负基准电压电路，所述正负基准电压电路分别与所述电压生成电路，所述ADC电路电连接，用于将所述预设带隙基准电压调制成正基准电压信号和负基准电压信号；运算放大器U1的正相输入端输入所述预设带隙基准电压；所述运算放大器U1的输出端通过电阻R4分别与所述运算放大器U1的反向输入端、以及电阻的R5的一端电连接；所述电阻的R5的另一端通过电阻R6连接所述公共地端。

优选的，所述ADC电路包括：第一数量的比较器，以及与第一数量的比较器数量对应的第二数量的电阻；第一数量的所述比较器的正相输入端与所述MOS管M8的漏极端电连接，输入所述待检测电压接；第二数量的所述电阻串联电连接；串联后的第二数量的所述电阻的一端与所述运算放大器U1的输出端电连接，接收所述正基准电压信号；串联后的第二数量的所述电阻的另一端与所述电阻的R5的另一端电连接，接收所述负基准电压信号；每两个串联电阻的公共端与所述运算放大器的反相输入端电连接，第一数量小于第二数量。

优选的，包括：所述译码器的数据信息输入端与所述ADC电路的输出端连接；所述译码器的数据信息输出端输出多位二进制信号。

优选的，还包括：控制时钟电路，与所述ADC电路电连接，用于控制所述ADC电路的工作状态。

一种温度检测的方法，应用于以上所述温度检测电路中，包括：电压生成电路生成预设带隙基准电压以及待检测电压；ADC电路将所述电压生成电路中生成的以及待检测电压进行比较处理，转换成数字信号；译码器将ADC电路生成的所述数字信号进行译码，获取当前待测芯片的温度信息。

优选的，包括：调整预设电流信号；根据所述预设电流信号获取所述预设带隙基准电压以及所述待检测电压；正负基准电压电路将所述预设带隙基准电压调制成正基准电压信号和负基准电压信号，所述ADC电路接收调制后的正基准电压信号和负基准电压信号，以及所述待检测电压，进行比较处理，转换成数字信号。