[发明专利]一种温度检测电路及一种温度检测方法

权利要求书

1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：电压生成电路，ADC正负基准电压电路，ADC电路以及译码器；

所述电压生成电路，用于生成预设带隙基准电压以及待检测电压；

所述ADC正负基准电路，用于将带隙基准电压转换为ADC的正基准和负基准电压；

所述ADC电路，用于将所述电压生成电路中生成的待检测电压，进行模数转换处理后生成数字信号；

所述译码器，用于将所述ADC电路生成的所述数字信号进行译码，显示当前待测芯片的温度信息。

2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，所述电压生成电路：包括：8个MOS管，MOS管M1～MOS管M8；3个三极管，分别为：三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3；

所述MOS管M1～MOS管M4的栅极端依次串联；

所述MOS管M1～MOS管M4的源极端并列连接在电源供电端；

所述MOS管M1～MOS管M4的漏极端依次与所述MOS管M5～MOS管M8的源极端对应电连接；

所述MOS管M5～MOS管M8的栅极端依次串联；

所述MOS管M5的漏极端分别与所述三极管Q1的集电极端、所述三极管Q1的基极端、所述三极管Q2的基极端电连接；

所述三极管Q1的发射极端连接公共地端；

所述三极管Q2的集电极端与所述MOS管M6的漏极端电连接；

所述三极管Q2的发射极端通过第一电阻R1连接所述公共地端；

所述MOS管M7的漏极端通过第二电阻R2与所述三极管Q3的集电极端和基极端电连接，输出所述预设带隙基准电压；

所述三极管Q3的发射极端连接所述公共地端；

所述MOS管M8的漏极端通过第三电阻R3连接所述公共地端，输出所述待检测电压。

3.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，还包括：正负基准电压电路，所述正负基准电压电路分别与所述电压生成电路，所述ADC电路电连接，用于将所述预设带隙基准电压调制成正基准电压信号和负基准电压信号；

运算放大器U1的正相输入端输入所述预设带隙基准电压；

所述运算放大器U1的输出端通过电阻R4分别与所述运算放大器U1的反向输入端、以及电阻的R5的一端电连接；

所述电阻的R5的另一端通过电阻R6连接所述公共地端。

4.根据权利要求3所述的温度检测电路，其特征在于，所述ADC电路包括：第一数量的比较器，以及与第一数量的比较器数量对应的第二数量的电阻；

第一数量的所述比较器的正相输入端与所述MOS管M8的漏极端电连接，输入所述待检测电压；

第二数量的所述电阻串联电连接；串联后的第二数量的所述电阻的一端与所述运算放大器U1的输出端电连接，接收所述预设带隙基准电压的正基准电压信号；

串联后的第二数量的所述电阻的另一端与所述电阻的R5的另一端电连接，接收所述预设带隙基准电压的负基准电压信号；

每两个串联电阻的公共端与所述比较器的反相输入端电连接；

第一数量小于第二数量。

5.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，包括：

所述译码器的数据信息输入端与所述ADC电路的输出端连接；所述译码器的数据信息输出端输出多位二进制信号。

6.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，还包括：

控制时钟电路，与所述ADC电路电连接，用于控制所述ADC电路的工作状态。

7.一种温度检测的方法，应用于权利要求1-6任一所述温度检测电路中，其特征在于，包括：

电压生成电路生成预设带隙基准电压以及待检测电压；

ADC正负基准电路将带隙基准电压转换为ADC的正基准和负基准电压；

ADC电路将所述电压生成电路中生成的待检测电压进行比较处理，转换成数字信号；

译码器将ADC电路生成的所述数字信号进行译码，获取当前待测芯片的温度信息。