[发明专利]一种利用空气淬火降低钛酸铜钙陶瓷损耗的方法有效

专利信息
申请号: 201711259380.0 申请日: 2017-12-04
公开(公告)号: CN107827452B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 张建花;郑杰诚;李晔城;刘玉倩;宋建成;吝伶艳;李媛媛 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622;C04B41/80
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源;曹一杰
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 空气 淬火 降低 钛酸铜钙 陶瓷 损耗 方法
【说明书】:

发明公开了一种基于溶胶‑凝胶法利用空气淬火制备低介电损耗钛酸铜钙陶瓷的方法。方法如下:以硝酸铜、硝酸钙、钛酸丁酯为原料,以无水乙醇为溶剂,首先按照钛酸铜钙的化学表达式CaCu3Ti4O12(CCTO)中各化学元素的计量比进行称量配料;接着把配置好的溶胶放置于80℃的水浴锅中,不断搅拌至形成干凝胶;然后先后利用电炉和马弗炉除去干凝胶中的有机物,形成CCTO陶瓷前驱体粉末;之后进行加胶、研磨、造粒、压片,制成陶瓷胚体,再把胚体放入马弗炉内进行烧结、保温;最后在烧结结束后,当炉内温度下降到1000℃以下时取出CCTO陶瓷样品,使其在空气中淬火冷却到室温。本发明操作工艺简单,烧结温度较低,制备的陶瓷样品致密性好,介电损耗低,频率稳定性好。

技术领域

本发明属于电介质材料领域,具体涉及一种低损耗钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12,简称CCTO)陶瓷的制备方法。

背景技术

随着科技的不断发展,包括微电子行业、新能源行业等诸多领域都对介电材料的小型化、高性能有了更高的标准。因此,巨介电材料成为当今研究的热点。所谓的巨介电材料是指εr>103的介电材料,是使电子器件小型化、高集成化的重要条件之一,在高密度能量存储和微电子器件领域有着很广阔的应用前景。

CCTO陶瓷材料是最近十多年最受关注的巨介电常数材料之一。CCTO陶瓷具有很高的介电常数和很好的温度稳定性,介电常数可达到104~105,介电常数100~600 K几乎没有任何改变,而且没有任何相变的产生。除此之外,CCTO陶瓷还具有优秀的压敏特性,这使其有望在高密度信息存储、薄膜器件、应用型集成电路、高介电电容器以及非线性器件领域得到广泛的应用。

但是,CCTO陶瓷在表现极高介电常数的同时,还伴随着较高的介电损耗(>0.1),这会导致器件在使用过程中产生过多的热量,使得元件温度升高,器件性能劣化,加速器件老化。因此,如何在保证CCTO有高介电常数的同时使其介电损耗下降成为当今研究热点。

现阶段对抑制CCTO陶瓷高损耗的措施主要有以下两大类:一是通过掺杂或取代在CCTO陶瓷中加入新的元素改变其性能,进而降低CCTO陶瓷的介电损耗;二是改变烧结温度、时间、气氛等烧结条件来降低其损耗。而通过改变样品烧结结束后冷却条件的相关方法却鲜有报道。本发明就是提供了一种使CCTO陶瓷损耗下降的全新制备方法。

公开文献“宋江,CaCu3Ti4O12陶瓷淬火态微结构与介电性能研究,陶瓷避雷器,2017 Ser. No. 275 (128-131)”中利用固相法与空气淬火冷却降温的方式制备了CCTO陶瓷,但是其结果却使损耗大幅度提高,这个结果与本发明结果相反,与低损耗CCTO陶瓷的需求不符。

发明内容

本发明针对上述问题,提出了一种低损耗CCTO陶瓷的制备方法。该制备方法可以明显降低CCTO陶瓷的介电损耗,提高了频率稳定性和致密性。

为达到以上目的,本发明采用如下技术方案予以实现:

(1)以摩尔比为1:3:4:9.6的比例分别称取对应质量的硝酸铜、硝酸钙、钛酸丁酯、柠檬酸;

(2)将硝酸铜、硝酸钙、柠檬酸倒入适量的无水乙醇中,不断搅拌使其充分溶解,形成A溶液;

(3)将钛酸丁酯倒入适量的无水乙醇中,搅拌使其溶解均匀,形成B溶液;

(4)保持A溶液不断搅拌的同时,将B溶液缓慢倒入A溶液中,形成溶胶;

(5)将适量聚乙二醇加入到溶胶中,搅拌至完全溶解;把该溶液放入恒温80 ℃的水浴锅中不断搅拌,使之形成凝胶;

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