[发明专利]具有并联电感电路的多尔蒂放大器及放大器模块

权利要求书

1.一种放大器模块，其特征在于，包括：

具有安装表面的基板；

耦合到所述安装表面的第一功率晶体管管芯，其中所述第一功率晶体管管芯包括集成在所述第一功率晶体管管芯内的第一晶体管，且其中所述第一晶体管包括第一漏极端和对应于所述第一漏极端的第一本征漏极节点；

耦合到所述安装表面的第二功率晶体管管芯，其中所述第二功率晶体管管芯包括集成在所述第二功率晶体管管芯内的第二晶体管，其中所述第二晶体管包括第二漏极端和对应于所述第二漏极端的第二本征漏极节点，且其中所述第一功率晶体管管芯和所述第二功率晶体管管芯被布置成具有至少为+/-45度的角向间隔；

连接在所述第一漏极端与所述第二漏极端之间的相移及阻抗反演元件，其中所述第一本征漏极节点与所述第二本征漏极节点之间的总电长度为九十度，且所述相移及阻抗反演元件具有小于九十度的第一电长度；以及

耦合到第一导电端的第一并联电感电路，其中所述第一并联电感电路包括具有第一电感值的第一并联电感，所述第一并联电感至少部分地谐振掉所述第一晶体管的漏极-源极电容而影响所述相移及阻抗反演元件的所述第一电长度。

2.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述第一并联电感电路包括：

呈第一焊线阵列形式的所述第一并联电感，其处于所述第一漏极端与导电触点之间；及

并联电容，其具有耦合到所述导电触点的第一端和被配置成耦合到接地参考的第二端。

3.根据权利要求2所述的放大器模块，其特征在于，所述并联电容具有在所述导电触点处产生射频(RF)冷点的电容值，且其中所述放大器模块进一步包括：

导电路径，其被配置成接收所述RF冷点处的偏置电压。

4.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述并联电感电路包括：

呈第一焊线阵列形式的所述第一并联电感，其处于所述第一漏极端与第一导电触点之间；

呈片状电感器形式的第二并联电感，其具有耦合到所述第一导电触点的第一端和耦合到第二导电触点的第二端；以及

并联电容，其具有耦合到所述第二导电触点的第一端和被配置成耦合到接地参考的第二端。

5.根据权利要求4所述的放大器模块，其特征在于，所述并联电容具有在所述导电触点处产生射频(RF)冷点的电容值，且其中所述放大器模块进一步包括：

导电路径，其被配置成接收所述RF冷点处的偏置电压。

6.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，进一步包括：

耦合到第二导电端的第二并联电感电路，其中所述第二并联电感电路包括具有第二电感值的第二并联电感，所述第二并联电感至少部分地谐振掉所述第二晶体管的漏极-源极电容而进一步影响所述相移及阻抗反演元件的所述电长度。

7.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述第一功率晶体管管芯是多尔蒂功率放大器的载波放大器管芯，且所述第二功率晶体管管芯是多尔蒂功率放大器的峰化放大器管芯。

8.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述第一功率晶体管管芯是多尔蒂功率放大器的峰化放大器管芯，且所述第二功率晶体管管芯是多尔蒂功率放大器的载波放大器管芯。

9.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述第一功率晶体管管芯和所述第二功率晶体管管芯是彼此垂直地被布置。

10.一种多尔蒂放大器，其特征在于，包括根据前述任意一项权利要求所述的放大器模块。