[发明专利]一种颗粒及其制备方法在审
| 申请号： | 201711250739.8 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109868132A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C07D235/28;C07D263/58;C07D209/42;C07D233/84;C07D207/34;C07D213/72;C07D277/36;C07D333/40;C07D307/64;C07D215/54;C07D2 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点表面 电子云 表面配体 配位基团 配位原子 有机基团 共轭 离域 制备 量子点材料 发光性能 共轭体系 孤对电子 配位能力 牢固性 量子点 配位键 有效地 钝化 配位 推移 保证 | ||
1.一种颗粒，其特征在于，所述颗粒包括量子点，与所述量子点表面结合的表面配体，所述表面配体为具有如下结构的物质：
2.根据权利要求1所述的颗粒，其特征在于，所述量子点为II-VI族量子点、III-V族量子点或IV-VI族量子点。
3.根据权利要求2所述的颗粒，其特征在于，所述II-VI族量子点为CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe或CdZnSeSTe。
4.根据权利要求2所述的颗粒，其特征在于，所述III-V族量子点为InP、GaP、GaAs、InAs、InAsP、GaAsP、InGaP、InGaAs或InGaAsP。
5.根据权利要求2所述的颗粒，其特征在于，所述IV-VI族量子点为PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe或PbSTe。
6.根据权利要求1所述的颗粒，其特征在于，所述量子点为均一二元组分单核结构的量子点、均一多元合金组分单核结构的量子点、多元合金组分渐变单核结构的量子点、二元组分分立核壳结构的量子点、多元合金组分分立核壳结构的量子点或多元合金组分渐变核壳结构的量子点。
7.一种颗粒的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供量子点溶液；
提供表面配体，所述表面配体为具有如下结构的物质：
将所述表面配体与所述量子点溶液混合，使所述表面配体与量子点表面结合，得到所述颗粒。
8.根据权利要求7所述的颗粒的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液中量子点的浓度范围为5-200mg/mL。
9.根据权利要求7所述的颗粒的制备方法，其特征在于，按所述表面配体与量子点溶液的体积比为(0.1-8):1，将所述表面配体与所述量子点溶液混合。
10.根据权利要求7所述的颗粒的制备方法，其特征在于，使所述表面配体与量子点表面结合的反应温度为10-400℃，反应时间为5s-12h。
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