[发明专利]一种晶圆管芯通态压降的测量电路及方法

权利要求书

1.一种晶圆管芯通态压降的测量电路，其特征在于，待测晶圆包括多颗管芯；

所述测量电路包括至少两个电流源模块、至少两个电压表模块和探针台吸盘；

每个所述电流源模块与一颗所述管芯对应；每个所述电压表模块与一颗所述管芯对应；

所述管芯包括第一端和第二端；其中，所述多颗管芯的第一端相连，并通过所述待测晶圆的背面的公共电极与所述探针台吸盘相连；

每个所述电流源模块的第一端与其对应的管芯的第二端连接，所述电流源模块的第二端与所述探针台吸盘连接；

每个所述电压表模块的第一端与其对应的管芯的第二端连接，所述电压表模块的第二端与所述探针台吸盘连接；

每个所述电流源模块包括一电流源；

每个所述电压表模块包括一电压表；

所述多颗管芯用于，在每颗管芯单独导通时，逐一获取所述待测晶圆的每颗管芯对应的第一电压值；在多颗管芯同时导通时，获取每颗管芯对应的第二电压值；根据所述第一电压值和所述第二电压值，确定所述待测晶圆的每颗管芯的实际通态压降。

2.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，每个所述电流源模块还包括与所述电流源串联的一开关单元；每一个所述电压表模块还包括与所述电压表串联的一开关单元。

3.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述管芯均为二极管或MOSFET管。

4.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，每个所述电压表模块的第一端与其对应的管芯的第二端的连接为开尔文连接；所述电压表模块的第二端与所述探针台吸盘的连接为开尔文连接。

5.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述探针台吸盘表面镀金或镀镍。

6.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，还包括真空吸嘴，用于将所述待测晶圆吸附在所述探针台吸盘上。

7.一种基于权利要求1-6任一所述的晶圆管芯通态压降的测量电路的晶圆管芯通态压降的测量方法，其特征在于，包括：

控制每颗管芯单独导通，逐一获取所述待测晶圆的每颗管芯对应的第一电压值；

控制多颗管芯同时导通，获取每颗管芯对应的第二电压值；

根据所述第一电压值和所述第二电压值，确定所述待测晶圆的每颗管芯的实际通态压降。

8.根据权利要求7所述的测量方法，其特征在于，所述根据所述第一电压值和所述第二电压值，确定所述待测晶圆的每颗管芯的实际通态压降包括：

根据同一颗管芯对应的所述第一电压值和所述第二电压值，确定所述待测晶圆的背面的公共电极与所述探针台吸盘之间的接触电阻；

根据每颗管芯对应的第一电压值和所述接触电阻，或每颗管芯对应的第二电压值和所述接触电阻，确定所述待测晶圆的每颗管芯的实际通态压降。

9.根据权利要求7所述的测量方法，其特征在于，所述根据所述第一电压值和所述第二电压值，确定所述待测晶圆的每颗管芯的实际通态压降包括：

根据每颗管芯对应的所述第一电压值和所述第二电压值，确定所述待测晶圆的每颗管芯的实际通态压降。

10.根据权利要求7所述的测量方法，其特征在于，所述管芯单独导通和所述多颗管芯同时导通的对应导通管芯中流过的电流值相等。