[发明专利]一种非晶氧化钨薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201711239523.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108017289B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 任洋;高赟;周晓歌;赵高扬 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 胡燕恒 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
步骤1，将液态烷烃与溶剂混合，在一定温度范围内搅拌，获得溶液A；
步骤2，再将WCl6与溶液A混合，搅拌，静置分层，获得分层溶胶B；
步骤3，利用分层溶胶B，采用浸渍提拉法在导电玻璃基板上镀凝胶膜，经250～300℃热处理得到非晶WO3薄膜；
步骤1中使用的液态烷烃为戊烷或己烷；
步骤1中的溶剂为无水甲醇、无水乙醇、异丙醇的一种，或任意几种以任意比例组成的混合物；
步骤1中，液态烷烃与溶剂的体积比为0.1～0.2：1。
2.根据权利要求1所述的一种非晶氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中搅拌反应的温度为40℃～60℃，搅拌时间为20min。
3.根据权利要求1所述的一种非晶氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，分层溶胶B中WCl6的摩尔浓度为0.1260mol/L～0.1376mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种非晶氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，镀凝胶膜时分层溶胶B的温度为40℃～60℃。
5.根据权利要求1所述的一种非晶氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，导电玻璃基板为掺锡的氧化铟、掺锑的氧化锡、掺氟的氧化锡、掺铝的氧化锌中的任意一种。
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